・III-V族半導体のエピタキシャル結晶成長機構
・ナノ粒子のコロイダル合成と物性
・量子構造によるエネルギー変換素子
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酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体量子構造のパッシベーションと被覆
神谷 格, Ronel Christian Intal ROCA, 岩田 直高
2017年度 - 現在
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GaAsにおける長波長発光欠陥の生成機構解明と制御
神谷 格
2017年度 - 現在
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SML成長法を用いたInGaAs系量子構造の開拓
神谷 格, Ronel Christian Intal ROCA
2017年度 - 現在
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InAs量子構造を用いた光アップコンバージョン
神谷 格, Ronel Christian Intal ROCA
2017年度 - 現在
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半導体界面の基礎電子物性
神谷 格, Ronel Christian Intal ROCA
2017年度 - 現在
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エピタキシャル結晶成長とその機構解明
神谷 格, Ronel Christian Intal ROCA
2017年度 - 現在
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機能性ナノ薄膜の作製と物性
神谷 格
2017年度 - 現在
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酸化物蛍光体の開拓
神谷 格, 岩田 直高
2020年度 - 現在
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Towards deterministic fabrication of QD single-photon sources for quantum information applications
Ronel Christian Intal ROCA
2025年度 - 2027年度
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2D to 3D growth transition of Submonolayer InAs/GaAs nanostructures
Ronel Christian Intal ROCA
2020年度 - 現在