2024/03/28 更新

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ロネル　クリスチャン　インタル　ロカ
Ronel　Christian　Intal　ROCA
Ronel Christian Intal ROCA
所属
大学院工学研究科 物質工学分野 量子界面物性研究室 助教   
学位
博士（工学） （ 東京工業大学 ）
連絡先
メールアドレス

主な研究論文

学歴

  • 東京工業大学   物理電子システム創造専攻

研究テーマ

  • 酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体量子構造のパッシベーションと被覆

    神谷　格, Ronel　Christian　Intal　ROCA, 岩田　直高

    2017年度 - 現在

    　詳細

    気相・液相法を用い、酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の量子井戸・量子ドットの表面パッシベーション及び被覆を実現させる。　電子的に安定な表面を得ると共に、歪や相互拡散を抑制し、量子構造本来の物性を出現させることを目指す。
    Passivation-capping of III-V of III-V semiconductor quantum wells and dots by oxides using vapor and/or liquid phase techniques. The goal is to realize electronically stable surface which is free from strain to obtain surface quantum structures in their ideal forms.

論文

  • Atomic layer deposition of diethylzinc/zinc oxide on InAs surface quantum dots: Self-clean-up and passivation processes 査読

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Yuwei Zhang*, Hyunju Lee*, Yoshio Ohshita, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya

    Applied Surface Science   612   155790   2022年11月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

  • Anomalous photoluminescence of InAs surface quantum dots: intensity enhancement and strain control by underlying quantum dots 査読

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    Nanotechnology   33   415204   2022年7月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

  • Effect of the number of stacks on the 2D to 3D transition of stacked submonolayer (SML) InAs nanostructures 査読

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    J. Crryst. Growth   593   126770   2022年6月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

  • Structural investigation of the 2D to 3D transition in stacked submonolayer InAs nanostructures 査読

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    AIP Advances   11   075011   2021年7月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

  • Photoluminescence tuning of stacked submonolayer (SML) InAs nanostructures across the 2D to 3D transition 査読

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    Applied Physics Letters   118   183104   2021年5月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

  • Submonolayer stacking growth of In(Ga)As nanostructures for optoelectronic applications: an alternative for Stranski-Krastanov growth 査読

    Itaru Kamiya, Ronel Christian Intal ROCA

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SB0804   2021年4月

    　詳細

    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：JSAP  

  • Correlation between the structure and luminescence of InAs submonolayer stacked nanostructures 査読

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SBBH06   2021年1月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IOP  

  • Change in Topography of InAs Submonolayer Nanostructures at the 2D to 3D Transition 査読

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    Physica Status Solidi B   258   2000349   2020年12月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley-VHC  

  • Photoluminescence of pre-growth treatment induced below-bandgap states in GaAs 査読

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    Japanese Journal of Applied Physics   59   SGGK07   2020年2月 （   ISSN:1347-4065 ）

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

  • Below-Bandgap Photoluminescence from GaAs 査読

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    Physica Status Solidi B   257   1900391   2019年12月 （   ISSN:1521-3951 ）

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Wiley-VHC  

  • Below-bandgap photoluminescence from GaAs substrates induced by pre-MBE-growth treatments 査読

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    AIP Advances   9   075208   2019年7月 （   ISSN:2158-3226 ）

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：AIP  

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講演・口頭発表等

  • Photoluminescence Evolution of Submonolayer Nanostructures at the 2D-3D Transition 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    The 70th JSAP Spring Meeting 2023  ( 東北大学 )   2023年3月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Diethylzinc passivation of InAs surface quantum dots 国際会議

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Hyunju Lee*, 岩田　直高, 大下　祥雄, 神谷　格

    2023年春季第70回応用物理学関係連合講演会  ( 上智大学 )   2023年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ALDにおいて、ジエチル亜鉛を用いたInAs量子ドットのパッシベーション効果に関する報告。

  • Control of the 3D SML Nanostructure Density by Topmost InAs Cycle Amount 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2022  ( 名古屋 )   2022年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • InAs量子ドット/GaAs(001) 上GaAsキャッピングのAs fluxの影響 国際会議

    若原夏希*, Ronel Christian Intal ROCA, 神谷　格

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  ( 東北大学川内北キャンパス（オンライン） )   2022年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    MBEによるGaAs(001)上のInAs量子ドットの GaAs によるキャッピング中のAs流量等の影響に関する報告。

  • Control of the 3D Submonolayer (SML) Nanostructure Density by GaAs Spacer Thickness 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022  ( 東北大学 )   2022年9月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • サブモノレイヤー成長法によるInAs量子ドットの密度制御 国際会議

    平墳直*, Ronel Christian Intal ROCA, 神谷　格

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  ( 東北大学川内北キャンパス（オンライン） )   2022年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    MBEによるサブモノレイヤー積層法を用いたInAs/GaAsの成長における積層変調を用いた量子ドット密度の制御に関する報告。

  • PL enhancement of InAs surface quantum dots by ex situ DEZ/ZnO passivation capping 国際会議

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Yuwei Zhang*, Hyunju Lee*, 岩田　直高, 大下　祥雄, 神谷　格

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  ( 東北大学川内北キャンパス（オンライン） )   2022年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ALD法によるDEZを用いたInAs量子ドットのパッシベーション被覆によるPL発光強度の増強に関する報告。

  • サブモノレイヤー成長法におけるGaAs膜厚による量子構造制御 国際会議

    奥泉陽斗*, Ronel Christian Intal ROCA, 神谷　格

    春季第69回応用物理学関係連合講演会  ( 青山学院大学相模原キャンパス（Zoom） )   2022年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    MBE で InAs/GaAs 交互積層するサブモノレイヤー成長法を用いて量子構造を作製する際の、GaAs 層の膜厚による構造制御の結果を報告した。

  • Luminescence of 10-stack Submonolayer InAs Nanostructures at the 2D-3D Transition 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    69th JSAP Spring Meeting 2022  ( オンライン )   2022年3月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Photoluminescence enhancement of InAs surface quantum dots by Al2O3 passivation 国際会議

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Yuwei Zhang*, Hyunji Lee*, 大下　祥雄, 岩田　直高, 神谷　格

    春季第69回応用物理学関係連合講演会  ( 青山学院大学相模原キャンパス )   2022年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Photoluminescence enhancement of InAs surface quantum dots by Al2O3 passivation using atomic layer deposition was reported.

  • Post-Growth Annealing of Stacked Submonolayer (SML) InAs Nanostructures 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    82nd JSAP Autumn Meeting 2021  ( Online Virtual (Nagoya, Japan) )   2021年9月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • GaAs(001)上InAs量子ドットのGaAsキャップ成長初期過程 国際会議

    若原夏希*, Ronel Christian Intal ROCA, 神谷　格

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  ( 名城大学（Zoom） )   2021年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    GaAs(001)上にMBEで成長されるInAs量子ドットについて、GaAsで被覆する際の初期過程で相互拡散や歪による形状変化と電子物性を検討した結果を報告した。

  • Long wavelength PL of InAs surface quantum dots enhanced by underlying reservoirs 国際会議

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, 神谷　格

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  ( 名城大学（Zoom） )   2021年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    The influence of underlying quantum dots (QDs) on InAs surface quantum dots (SQDs) on their photoluminescence (PL) properties were discussed. The insertion of underlying QDs resulted in enhancement of the PL intensity, and the wavelength was shown to be controlled by the spacer layer thickness.

  • Effect of the Number of Stacks on the 2D to 3D Transition of Stacked Submonolayer (SML) InAs Nanostructures 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    21st International Conference on MBE (ICMBE) 2021  ( Virtual (Puerto Vallarta, Mexico) )   2021年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Control of the 2D to 3D Transition of Stacked Submonolayer (SML) InAs Nanostructures by As2 Flux 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    Compound Semiconductor Week 2021  ( Online Virtual (Stockholm, Sweden) )   2021年5月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Control of Density of 3D Stacked Submonolayer (SML) InAs Nanostructures by As2 Flux 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    JSAP Spring Meeting 2021  ( Online Virtual )   2021年3月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Stacked submonolayer (SML) growth of InAs nanostructures by MBE has been gaining interest recently for various optoelectronic applications. In contrast to the well-known Stranski-Krastanov (SK) growth of InAs nanostructures, stacked SML growth involves the cycled deposition of SML-thick InAs and few ML-thick GaAs. We have recently reported evidence of the 2D to 3D transition in SML InAs nanostructures. This transition leads to the existence of two distinct kinds of stacked SML nanostructures: 2D islands and 3D structures. Compared to the analogous transition in SK growth, the properties of the stacked SML transition is not yet well investigated. Hence, this study aims to elucidate the controllability of the density of 3D structures by As2 flux. It will be demonstrated that a wide control of 3D structure density (10^8 ~ 10^10 cm^-2) is possible simply by adjusting the As2 flux in stacked SML growth.

  • Correlation between Structure and Luminescence of InAs Submonolayer (SML) Nanostructures 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020  ( Online Virtual )   2020年9月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    The correlation between the structural and photo-luminescence (PL) properties of InAs submonolayer (SML) nanostructures at the 2D to 3D transition is in-vestigated. Significant changes in the topography of uncapped InAs nanostructures assembled by SML growth have been observed, indicating the transition from 2D to 3D growth regime. The influence of these structural changes to the luminescence properties of the nanostructure are investigated by PL measure-ments.

  • Controlled Growth and Properties of InAs Nanostructures 招待 国際会議

    Itaru Kamiya, Ronel Christian Intal ROCA

    International Conference on Solid State Devices and Materials  ( Online )   2020年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • AFM Study of the 2D to 3D Transition in InAs Submonolayer Structures 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    JSAP Autumn Meeting 2020  ( Online Virtual )   2020年9月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    The submonolayer (SML) growth mode has been attracting attention as an alternative to the well-known Stranski-Krastanov (SK) growth mode as a method of assembling InAs nanostructures, e.g. quantum dots (QDs), on GaAs by MBE. While the 2D to 3D transition in SK-growth has been well investigated with a critical thickness of ~1.7 ML, different conditions are employed for SML-growth. Here, atomic force microscopy (AFM) is utilized to study the topographical changes at the 2D to 3D transition in InAs SML nanostructures.

  • A Study on Submonolayer InAs Quantum Well Islands for Upconversion Applications 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    JSAP Spring Meeting 2020  ( Sophia University )   2020年3月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Deemed

  • Novel InAs SK/SML/SK quantum dot structures and steps toward new broadband IR detectors 国際会議

    モハンマディ　ハニフ **, Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    JSAP Spring Meeting 2020  ( 上智大学（見做し開催） )   2020年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    GaAs(001)上に、SML法とSK法でIn(Ga)As量子ドットを作製し、成長条件の適正化により、幅広い波長範囲を持った近赤外蛍光体の実現を目指している経過を報告。

  • Size Optimmization of InAs Quantum Well Islands for Photon Upconversion Applications 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    JSAP Autumn Meeting 2019  ( Hokkaido University )   2019年9月  JSAP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Pregrowth Treatment Induced below-bandgap states in GaAs 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    International Conference on Solid State Devices and Materials  ( Nagoya University, Nagoya, Japan )   2019年9月  AIP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Below-bandgap states induced by pre-epitaxial growth treatments in GaAs have been investigated by photoluminescence (PL). Various electronic states giving rise to near-infrared (NIR) PL peaks are generated through processes such as annealing or buffer growth that are standard for epitaxial growth of InAlGaAs structures on (001) GaAs substrates. These states often overlap with those from InGaAs structures, not only complicating the interpretation by also altering the electronic properties of the devices. The present work provides guides for distinguishing the desired electronic states from the pregrowth treatment-induced defect states.

  • Below-bandgap photoluminescence from GaAs 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, Itaru Kamiya

    Compound Semiconductor Week 2019  ( Kusagano International Forum, Nara, Japan )   2019年5月  IEEE

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Below-bandgap photoluminescence (PL) from GaAs has been investigated. We find that various electronic states giving rise to near-infrared (NIR) PL peaks can be generated through processes that are standard for epitaxial growth of InAlGaAs structures on (001) GaAs substrates. The PL signals from these states overlap with those from InAs quantum dots, wetting layers, and InGaAs structures, complicating the design of devices for telecommunications or intermediate band solar cells. The present result provides guides for distinguishing the desired electronic states from the thermal treatment-induced defect states.

  • Below-Bandgap Photoluminescence Emission from SI GaAs substrates subjected to pre-MBE-growth annealing 国際会議

    Ronel Christian Intal ROCA, 神谷　格

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会 (JSAP Spring Meeting 2019)  ( 東京工業大学大岡山キャンパス )   2019年3月  応用物理学会 (JSAP)

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    We report the observation of below-GaAs-bandgap photoluminescence (PL) emission from GaAs substrates subjected to thermal annealing during the standard pre-MBE-growth processes. Using below-bandgap excitation as well as backside PL measurements, defects deep within the substrates were probed. A broad PL emission peak at 1000 nm appear after pre-bake annealing at 300° and further defects at 905 and 1150 nm appear after oxide desorption annealing at 600°. These findings confirm the presence of optically-active defects in pre-MBE-growth annealed GaAs substrates.

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受賞

  • Toyota Scholarship Fund Research Encouragement Award

    2022年3月   Toyota Scholarship Fund  

    Ronel Christian Intal ROCA

科学研究費補助金