2026/04/13 更新

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シモン　レニッシュ　カパリノ
SIMON　Rhenish　Caparino
SIMON Rhenish Caparino
所属
大学院工学研究科 物質工学分野 量子界面物性研究室 ポストドクトラル研究員   
学位
Ph.D. （ 2021年2月 ）

主な研究論文

研究テーマ

  • 酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体量子構造のパッシベーションと被覆

    神谷　格, Ronel　Christian　Intal　ROCA, 岩田　直高, Hanif Mohammadi（転出・退職）, SIMON　Rhenish　Caparino

    2017年度 - 現在

    　詳細

    気相・液相法を用い、酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の量子井戸・量子ドットの表面パッシベーション及び被覆を実現させる。電子的に安定な表面を得ると共に、歪や相互拡散を抑制し、量子構造本来の物性を出現させることを目指す。
    Passivation-capping of III-V of III-V semiconductor quantum wells and dots by oxides using vapor and/or liquid phase techniques. The goal is to realize electronically stable surface which is free from strain to obtain surface quantum structures in their ideal forms.

    成果：

    2025年度
    金属酸化物被覆によるパッシベーション効果が生じる機構の検討の継続。

    2024年度
    金属酸化物被覆によるパッシベーション効果が生じる機構の検討を行い、金属源である有機金属が表面と反応する際、酸化状態の変化をもたらしている可能性を指摘した。

    2023年度
    パッシベーション被覆する材料の検討を行い、酸化亜鉛と酸化アルミニウムで大きな違いがあることを見出し、その原因が結晶性と表面洗浄化効果によるものとの傍証を得た。

    2022年度
    表面InAs量子ドットの酸化物パッシベーションにより、波長シフトの殆どない蛍光を、強度を増強して得ることに成功した。