光通信速度はメモリの記録速度よりも圧倒的に早く、その差を補うため大量の電力とコストを消費している。そこで、光通信の光をそのまま使って高速に光磁気記録できるオリジナル手法を検討している。これにより消費電力とコストを桁違いに低減できるため、Society5.0やSDGsへの貢献も期待できる。

成果：

2023年度
磁性細線両端をレーザーアニールすることにより磁壁移動速度を倍以上高速化でき、かつ駆動するための電流密度を増やしてもその速度が一定となる駆動マージン拡大に成功。LLGシミュレーションにより、その安定性確保の原因を推定できた。

2022年度
波長1310nmの最短記録光パルス幅40psecでの記録系および波長780nmでの差動検出系を設計し、立ち上げている。次年度に詳細な記録再生評価を検討できる状態にまで持ち込んだ。また、高速磁壁駆動可能な媒体条件を見出した。

磁性細線メモリの基礎研究課題として磁壁の低電流密度化がある。IBMはFeNi面内磁化膜を使って電流密度を1×10¹²A/m²に、京大・ＮＥＣグループはCo/Ni垂直磁化多層膜を使って3×10¹¹A/m²まで低減することに成功している。いずれも磁化の値が大きく磁壁移動に大きなエネルギ変化をもたらす。そこで、磁化が小さく垂直磁気異方性の大きなTbFeCoアモルファス合金を使って磁壁移動に必要な電流密度を世界最小の4×10¹⁰A/m²まで低減する事に成功した。

成果：

2023年度
電流駆動磁壁駆動型磁性細線メモリの磁壁駆動高速化における磁気異方性エネルギーKuの役割を調べるためにランダウリフシッツギルバート方程式によるマイクロマグネチックシミュレーションを電通大の仲谷教授と共同研究した。その結果、Kuが低下すると磁壁移動速度の高速化が確認できた。また、スピン軌道トルクの下人となるDMIと磁壁移動速度の関係を調べたところ、DMIが大きくKuが小さい場合には、磁壁作成が困難で容易にマルチドメインが発生することが分かった。

2022年度
GdFeCo/Pt磁性細線において、電流パルス幅の短いパルス電流を印加すると、磁壁の移動速度が2000m/secに達することを見出した。外部磁界アシストを不要とする方法で世界最速である。通常この条件は特定の温度ピンポイントという予想を覆して、0℃から７０℃まで変化させても高速で実用的であることを確認できた。

省電力が期待される磁性細線メモリはＳｉエッチングで作られているため、仮に研究に成功してもハイエンドメモリにしかならず省電力貢献は小さい。しかし、光ディスク同様の安価な成型プロセスで磁性細線が作れるならば低コストでハイパフォーマンスなユニバーサルメモリに展開できる可能性がある。しかも磁壁駆動には平滑構造細線が必要であり本プロセスで作成が可能である。ナノメータサイズのエッチング磁性細線では作成が困難であり、そのため磁壁駆動に必要な電流密度低減が難しいと考える。そこで、光ディスク同様の溝形状にスパッタ膜を製膜し、磁壁の電流駆動を試みた結果、電流密度は6×10⁹A/m²にまで低減した。今後、溝形状の最適化を行い、さらなる低電流密度化に挑戦する。

成果：

2023年度
磁性細線に磁壁を導入し、外部磁界を印加すると大きな起電力が生ずる原因を調べる必要がある。ファラデーの法則の影響を調べるために、磁性細線の飽和磁化と起電力の関係を測定した。その結果、飽和磁化が小さくなるほど起電力が増加した。これはファラデーの法則と逆の結果であることがわかった。

2022年度
ポリカーボネイトプラスチックナノインプリイント基板を作成し、その上に希土類・遷移金属合金または多層膜をスパッタ製膜するだけで、再現性ある磁性細線を容易に作成できることを見出した。磁壁駆動に必要な電流密度も高価なSi基板に半導体プロセスで作った磁性細線に比べて一桁小さい。超安価で超省電力なスピントロニクスデバイスに活用できる。

ビットパターン媒体表面に温度勾配で記録磁区パターンが移動可能な磁性膜を形成し、熱アシスト磁気記録用ヘッドでパターン磁化された部分を加熱すると、温度勾配でビットパターン奥に記録された磁区が表面に移動する。これをＴＭＲヘッドで再生できると３次元磁気記録が可能になる。この提案を検証するための記録媒体の基礎検討を行っている。

成果：

2023年度
隠れ層であるガーネット磁性膜に磁気パターンをレーザーで光磁気記録し、2枚の隠れ層でのMNIST手書き文字識別を行った。その結果認識率2割でこの原理が有効であることが分かった。今後は、隠れ層の記録パターン最適化、隠れ層を増やす等で更に識別率向上を目指す。

2022年度
ポリカーボネイトナノインプリント基板に磁性細線パターンを形成し、これを複数枚重ねて3次元記録ができる。100層の場合、2.5インチSSDサイズに100TBくらいのデータ記録が期待できる。また、1層1層に任意の磁気パターンをニューロンとして形成できる。基板は透明であり、磁性層も数nmと薄くできるので円偏光または直線偏光を照射すると、出射光側に磁気光学パターンが出現する。これを用いたニューラルネットワークの研究を開始した。

これまでの磁性細線の一般的な作成法は、高価なSi基板上に磁性膜を形成し、細線作成プロセス（エッチング）により細線微細加工を行うものであった。この作成法はプロセスが大変複雑で細線形状にバラつきが大きく細線エッジ荒れが大きい問題をかかえていた。したがって、作成コストも非常に高く、性能が高くても限定的な用途にしか利用できない。しかし、我々が提案したナノインプリントを利用する新しい磁性細線作成法の場合には、安価なプラスチック基板に記録膜を成膜するだけのシンプルで安価に磁性細線を作成できる。実際に本手法で従来法よりも磁性細線上の磁壁を1桁低い電流密度で駆動する事ができた。更なる電流密度低減策を検討している。

成果：

2023年度
磁性細線の形状や太さを様々変化させたガラス原盤を作成した。溝深さは500nmである。これまでと違って深溝を作るのは困難だったため、溝深さは浅くなった。磁性膜を成膜してランド部、グルーブ部、溝側壁に積層した膜厚を電気抵抗測定から推測したものと、断面TEMで測定した結果がほぼ一致することが分かった。

2022年度
ポリカーボネイトフィルムに磁性細線金型をナノインプリントし、この上に磁性薄膜を作成する新しい磁性細線作成法を提案実証した。これは従来の高価な半導体プロセスに比べてコストを10000分の1に低減でき、磁壁の駆動エネルギーを10分の1に低減できる。この手法で安価で高性能なスピンエレクトロニクスデバイスを作成することができる。

磁性細線に用いる磁性材料およびその磁性材料の下地膜や保護膜の影響で、磁性細線上の電流による磁壁駆動に大きな違いが生じる。保護膜や下地膜に同じ材料を用いると、その磁壁は伝導電子のスピントルクで電子流の方向に回転しながら移動する。しかし、例えば下地膜を異なる材料にするとその対称性が崩れて磁壁の移動は電子流と逆向きに回転を止めた状態で移動する。これらは異種界面（ヘテロ界面）からのスピン軌道相互作用と考えられ、この新しい物理現象をスピンオービトロニクスと呼んでいる。この新しい物理現象のメカニズム解明の研究を行っている。

成果：

2023年度
スピンオービタル効果に重要な重金属層として、Ptを酸化させたPtOにより電流による磁壁駆動の原因となるスピンホール効果が増加するかどうか確かめることを行った結果、磁壁移動速度の高速化を確認できた。
一方、最近軌道ホール効果の影響も議論されるようになってきた。そこで、東大の林先生と共同で光を使った軌道ホール効果測定を行い、軌道ホール効果を光で検出できることが分かった。

2022年度
磁性膜/重金属ヘテロ界面を有する磁性細線には大きなスピン軌道トルクが働く。しかし、これは界面現象であるため界面2nm程度にしか利用できない。しかし、TbCo/Pt磁性細線では、フェリ磁性でTbとCoの角運動量が逆向きであるためスピン軌道トルクがバルク的に作用し、応用上有益であることを見出した。また、この伝導現象は可視光領域まで及んでいることを世界で初めて見出した。この成果はIEEE NAgoya Outstanding Presentation Awardで表彰された。

現在のＣＰＵでは、メモリとロジックをデータバスで結んで運用しているためデータ処理速度に限界を生じているが、電流駆動型スピンメモリとスピンロジックは混在することが可能であり、磁壁移動速度も速い事から高速なロジックインメモリ作製が期待できる。この基本動作検証と簡単なデモンストレーションを目指して研究を行っている。スピンメモリの基本動作確認やスピンロジックのＡＮＤ、ＯＲ、ＮＯＴ，ＦＡＮＯＵＴなどの個別での原理確認には成功しており、今後複合型動作の検証を行う。

成果：

2023年度
スピンロジックとして、磁気スキルミオンを利用する方法がある。そこで、GdFeCo磁性佐瀬院上に磁気スキルミオンを生成できる条件を明らかにし、室温にてブラウン運動するか調べた。細線に電流を印加するとブラウン運動し、電流方向に動くことが分かった。その動きは既報には無いくらい非常に大きなスキルミオンホール効果を示した。ロジックに応用できるか考えてみる。

2022年度
消費電力を低減した電流駆動磁性細線メモリと同じ駆動原理でスピンを使ったAND、OR,NOTロジックを試作し、電流印加によるこれら演算が可能なことを示した。さらに演算結果を次の複数の演算に受け渡すファンアウト動作も検証した。これにより理想的なロジックインメモリの実現が可能になる。