Electronics and Information Engineering
Laboratory name
Functional Semiconductor Devices
Laboratory staff
Toshinori Numata （Professor） 　 Sho Nakosai （Associate Professor） 　 RAJADURAI, Abimaheshwari （Post Doctoral Fellow） 　
Laboratory title
未来の課題克服に貢献する新たな半導体デバイス技術の探求
Laboratory overview
AIやIoTの台頭により半導体はさらなる高性能・低消費電力化が求められます。未来の課題克服に貢献する技術提案を目標に、トランジスタに新材料・機能を融合するなど、新たな半導体デバイス技術の可能性を探求します。
Main research themes
・半導体トランジスタ新規技術の研究
・高性能半導体デバイス新規材料の研究
Individual research theme

  • Study on ferroelectric FETs and thin film materials

    沼田　敏典, 大下　祥雄, 中河西　翔, RAJADURAI　Abimaheshwari

    2023

    　More details

    Outcome：

    2025
    The formation process of ALD-Ga2O3 films was investigated using ab initio calculations, elucidating the adsorption stability of the TDMAG precursor.

    2024
    Ga2O3 film was deposited on a silicon substrate by ALD in our university. Non-ferroelectric thin Ga2O3 was formed, and CV characteristics of MOS capacitor was demonstrated.

    2023
    He joined the institute and open his research laboratory in January 2024. In order to study on this research, he created the specification of a thin-film-deposition device with controlling materials.

  • Research and development of quantum sensor utilizing SiC MOS structurer

    岩田　直高, VILLAMIN　Maria　Emma　, 沼田　敏典, 大下　祥雄, 中河西　翔

    2024

  • 新チャネル材料先端MOSトランジスタに関する研究

    沼田　敏典, 中河西　翔

    2025

    　More details

    新チャネル材料を用いたMOSトランジスタ特性をTCADシミュレーションを用いて検討する。Ge半導体の最先端MOSトランジスタ構造への適用可能性を明らかにする。

    Outcome：

    2025
    デバイスシミュレータを立ち上げ、Planer型MOSトランジスタ構造を作製。Geを適用したことによるトランジスタ特性をSiと比較検討し、Ge由来のIon電流向上などを確認した。