研究者詳細
2025/12/03 更新
基本情報
研究活動
研究テーマ
講演・口頭発表等
超⾼効率・低コスト化合物太陽電池・材料の研究
大下 祥雄, 河野 将大, 小島 信晃
2025年度 - 現在
詳細
III-V族化合物半導体は、多様な材料で任意のバンド・プロファイルを持つ多接合構造太陽電池を構成することで、40%以上の超⾼効率光電変換が可能である。変換効率50%以上が期待できる4接合材料として、InGaAsN材料の⾼品質成膜と物性・⽋陥評価に関する研究を行う。
InGaAsN中のドナーおよびアクセプタの熱安定性
河野 将大、玉城 大天、小島 信晃、大下 祥雄
第86回応用物理学会秋季学術講演会 ( 名城大学天白キャンパス&オンライン ) 2025年9月
開催年月日: 2025年9月
会議種別:口頭発表(一般)