2024/07/29 更新

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ヌマタ　トシノリ
沼田　敏典
Toshinori Numata
所属
大学院工学研究科 電子情報分野 機能半導体デバイス研究室 教授   
学位
博士（工学） （ 2006年3月   大阪大学 ）

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

主な研究論文

  • SPICE-based performance analysis of Trigate silicon nanowire CMOS circuits

    C. Tanaka*, M. Saitoh*, K. Ota*, K. Uchida*, and T. Numata

    IEEE Transactions on Electron Devices   60 ( 4 )   1451   2013年4月1日

    Threshold voltage control by substrate bias in 10-nm-diameter tri-gate nanowire MOSFET on ultrathin BOX

    K. Ota*, M. Saitoh*, C. Tanaka*, and T. Numata

    IEEE Electron Device Letters   34 ( 2 )   187   2013年2月1日

    Impact of mechanical stress on gate tunneling currents of germanium and silicon p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors and metal gate work function

    Y. S. Choi*, T. Numata, T. Nishida*, R. Harris*, and S. E. Thompson*

    Journal of Applied Physics   103   064510   2008年3月24日

    Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-SOI MOSFETs

    T. Numata, T. Irisawa*, T. Tezuka*, J. Koga*, N. Hirashita*, K. Usuda*, E. Toyoda*, Y. Miyamura*, A. Tanabe*, N. Sugiyama*, and S. Takagi*

    IEEE Transactions on Electron Devices   53 ( 5 )   1030   2006年5月1日

    Device Design For Subthreshold Slope and Threshold Voltage Control in Sub-100-nm Fully Depleted SOI MOSFETs

    T. Numata and S. Takagi*

    IEEE Transactions on Electron Devices   51 ( 12 )   2161   2004年12月1日

経歴

  • 豊田工業大学   大学院工学研究科 電子情報分野 機能半導体デバイス研究室   教授

    2024年1月 - 現在

  • 横浜国立大学   非常勤講師

    2023年4月 - 2023年12月

  • 東京都市大学   非常勤講師

    2021年4月 - 2023年12月

  • キオクシア(株)   グループ長

    2019年4月 - 2023年12月

  • 東芝メモリ(株)   参事

    2017年4月 - 2019年3月

  • 東京都市大学   非常勤講師

    2015年4月 - 2018年3月

  • Interuniversity Microelectronics Centre (imec)   On-siete Manager

    2012年5月 - 2015年3月

  • University of Florida   Visiting Schalar

    1997年7月 - 1998年12月

  • (株)東芝   研究開発センター   研究員

    1997年4月 - 2017年4月

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学歴

  • 大阪大学   工学研究科   電子工学専攻

    1995年4月 - 1997年3月

  • 大阪大学   工学部   電子工学科

    1991年4月 - 1995年3月

所属学協会

  • Institute of Electical and Electronics Engineers (IEEE)

  • 応用物理学会

研究テーマ

  • 強誘電体ゲート絶縁膜トランジスタおよび薄膜材料の研究

    沼田　敏典

    2023年度 - 現在

    　詳細

    従来のシリコンMOSトランジスタの高性能化のため、ゲート絶縁膜に強誘電体膜を用いたトランジスタの研究開発を行う。そのための薄膜材料の探索やトランジスタ試作評価を進める。

    成果：

    2023年度
    2024年1月に着任して研究室を開設。本テーマに関わる研究を進めるため、成膜原料ガス分解特性装置の仕様を策定した。

講演・口頭発表等

  • Novel Sn CVD Precursor for Depositing SnO2 Thin Film as Transparent Conductive Oxide 国際会議

    Yoshio Ohshita, Toshinori Numata, Atsushi Ogura*, Hyunju Lee*, Hideaki Machida*

    41st European Photovoltaic Solar Energy Conference (EUPVSEC2024)  ( Austria Center Vienna, Vienna, Austria )   2024年9月 

    　詳細

    開催年月日： 2024年9月

    会議種別：ポスター発表