2024/05/14 更新

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ヴィラミン　マリア　エマ
VILLAMIN　Maria　Emma　
VILLAMIN, Maria Emma
所属
特任教員部門 岩田直高特任教授研究室 ポストドクトラル研究員   
■廃止組織■ 電子デバイス研究室   
学位
博士（工学） （ 東京工業大学 ）
連絡先
メールアドレス

主な研究論文

学歴

  • 東京工業大学   物理工学院材料系   ライフエンジニアリング

    2016年10月 - 2019年9月

    　 詳細

    国名： 日本国

  • University of the Philippines - Diliman

    - 2015年12月

    　 詳細

    国名： フィリピン共和国

  • University of the Philippines - Diliman   学部 National Institute of Physics   応用物理学

    　 詳細

    国名： フィリピン共和国

所属学協会

  • JSAP

研究テーマ

  • 化合物半導体ヘテロ接合パワーデバイスの研究

    岩田　直高, VILLAMIN　Maria　Emma　

    2017年度 - 現在

    　詳細

    　Siデバイスの性能を凌駕する安価な半導体デバイスが求められている。これに向けて、高速かつ高効率動作が可能で耐圧特性に勝る化合物半導体デバイス、特に窒化ガリウム(GaN)を用いた電力制御用やミリ波・マイクロ波帯用のパワートランジスタの開発に関連する研究を進めている。具体的には、AlGaN/GaNヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)や縦型トランジスタに注目している。HEMTの研究では、AlGaN上のGaNを選択的に除去するドライエッチング、接触抵抗の低いオーミック電極と原子層堆積法によるデバイス表面を安定化させる保護膜形成などの作製プロセス技術を開発した。これらの技術を用いて、p型GaNゲートをHEMT上に形成して、ノーマリオフ動作を実現した。次にGaNの物性から期待される素子特性の実現を目指して、GaN基板の上に設けるバッファ層がHEMT特性に及ぼす影響を、素子周囲に設けたサイドゲートからの変調で明らかにした。一方、縦型トランジスタの実現には低抵抗なp型GaN層が必須であり、レーザー照射によりアクセプタ不純物を活性化させる研究を進めている。今後は、縦型スーパー接合構造の形成を検討し、高電圧動作デバイスの実現を図る。

論文

  • ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN small area mesa device 査読 国際共著

    M.E. Villamin, R.C. Roca, I. Kamiya, N. Iwata

    Proc. SPIE Gallium Nitride Materials and Devices XIX   12886   128860F   2024年3月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SPIE  

    DOI： 10.1117/12.3002082

  • Characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on GaN substrates with different thicknesses of GaN channel and buffer layers using side-gate modulation 査読

    VILLAMIN, Maria Emma C., 岩田　直高

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SA1015 - 1   2021年12月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effect of C- and Fe-doped GaN buffer on AlGaN/GaN HEMT performance on GaN substrate using side-gate modulation 査読

    VILLAMIN, Maria Emma C., Takaaki Kondo*, 岩田　直高

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SBBD17 - 1   2021年3月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

講演・口頭発表等

  • Annealing in Oxygen ambient of In-based contact for Mg-doped p-GaN

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    2024年3月 

    　詳細

    会議種別：ポスター発表  

  • ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN small area mesa device 国際会議

    Maria Emma Villamin, Ronel Christian Roca, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata

    SPIE Photonics West 2024  ( Moscone Center, San Francisco California )   2024年1月 

    　詳細

    会議種別：ポスター発表  

  • Formation of In/Au low-temperature contact for vertical superjunction GaN devices with laser-activated p-GaN region 国際会議

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)   ( Hilton Fukuoka Sea Hawk )   2023年11月 

    　詳細

    会議種別：ポスター発表  

  • Annealing temperature dependence of In/Au electrode performance on p-GaN

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    2023年9月 

    　詳細

    会議種別：ポスター発表  

  • GaN Heterojunction Rectifier Diode with Low Turn-On Voltage and High Breakdown Voltage for Energy Harvesting 国際会議

    Naotaka Iwata, Kouki Hino, Maria Emma Castil Villamin

    2023 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2023)  2023年9月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年9月

    会議種別：ポスター発表  

  • N2/O2雰囲気アニールによるAu/Ni/p-GaNオーム性接触の低抵抗化

    岩田 直高、三明純奈、マリア エマ ヴィリアミン

    電子情報通信学会2023年ソサイエティ大会  2023年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Comparison of Thermal and ArF Excimer Laser Activation of Mg doped GaN 国際会議

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会   ( 上智大学 )   2023年3月 

    　詳細

    会議種別：ポスター発表  

  • 低オン電圧高電流特性を示す環境発電用GaNヘテロ接合 整流ダイオード 国際会議

    Kouki Hino, Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会   ( 上智大学 )   2023年3月 

    　詳細

    会議種別：ポスター発表  

  • Drain lag characterization of Fe- and C-doped GaN buffer HEMTs on GaN substrates 国際会議

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    The 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2023)  ( 岐阜大学 )   2023年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Comparison of side-gate modulation responses for AlGaN/GaN HEMTs on GaN substrates with and without C-doped GaN buffer layer 国際会議

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    2021年第68回応用物理学会春季学術講演会  ( Online )   2021年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　19p-PO6-8

  • Effect of side-gate modulation on AlGaN/GaN HEMTs on GaN substrates with different GaN channel and buffer thicknesses 国際会議

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    the 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)  ( Online )   2021年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　10P-20

  • Effect of C- and Fe-doped GaN Buffer on AlGaN/GaN HEMT Performance on GaN Substrate Using Side-gate Modulation 国際会議

    Maria Emma Villamin, Takaaki Kondo*, Naotaka Iwata

    2020年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2020)  ( Online )   2020年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　D-7-06

  • Side gate modulation of AlGaN/GaN HEMTs on GaN with C and Fe doped buffers 国際会議

    Maria Emma Villamin, Takaaki Kondo*, Naotaka Iwata

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  ( Online )   2020年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　10p-Z04-6

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