2024/07/27 更新

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イワタ　ナオタカ
岩田　直高
Naotaka Iwata
所属
特任教員部門 岩田直高特任教授研究室 特任教授   
学位
博士（工学） （ 1999年3月   筑波大学 ）
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研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器  / GaN、パワーデバイス、半導体製造プロセス

主な研究論文

  • Breakdown voltage enhancement of p-GaN/AlGaN/GaN diode by controlling Mg acceptors for compensating residual Si donors

    S. Kawata, Y. Zhang, and N. Iwata

    Jpn. J. of Appl.Phys.   62 ( SA1004 )   2022年11月11日

    Low turn-on voltage rectifier using p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor for energy harvesting applications

    Y. Zhang, S. Kawata, and N. Iwata

    Jpn. J. of Appl. Phys.   61 ( SA1013 )   2021年12月15日

    Effect of C- and Fe-doped GaN buffer on AlGaN/GaN high electron mobility transistor performance on GaN substrate using side-gate modulation

    M. E. Villamin, T. Kondo, and N. Iwata

    Jpn. J. Appl. Phys.   60 ( SBBD17 )   2021年3月16日

    High-selectivity dry etching for p-type GaN gate formation of normally-off operation high-electron-mobility transistor

    N. Iwata and T. Kondo

    Jpn. J. of Appl. Phys.   60 ( SAAD01 )   2020年10月16日

    Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices

    N. Kurose, K. Matsumoto, F. Yamada, T. M. Roffi, I. Kamiya, N. Iwata, and Y. Aoyagi

    AIP Advances   8 ( 015329 )   2018年1月31日

経歴

  • 立命館大学   客員協力研究員

    2015年5月 - 2016年3月

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    国名：日本国

  • 豊田工業大学   大学院 工学研究科、工学部 先端工学基礎学科、電子デバイス研究室   教授

    2013年4月 - 現在

    　 詳細

    国名：日本国

  • 電気通信大学   共同研究センター、産学官連携センター   客員教授、特任教授

    2005年4月 - 2011年3月

    　 詳細

    国名：日本国

  • Stanford大学   J.S.Harris教授研究室   客員研究員

    1993年1月 - 1993年12月

    　 詳細

    国名：アメリカ合衆国

  • NEC、NECエレクトロニクス、ルネサス エレクトロニクス株式会社   基礎研究所、マイクロエレクトロニクス研究所、関西エレクトロニクス研究所、化合物デバイス事業部

    1983年4月 - 2013年3月

    　 詳細

    国名：日本国

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学歴

  • 筑波大学   論文博士

    1999年3月

    　 詳細

    国名： 日本国

    備考： 博士(工学)を筑波大学より授与(乙第1511号)、学位論文題目：「化合物半導体ヘテロ接合を用いた移動体端末用高出力ＦＥＴに関する研究」

  • 筑波大学   理工学研究科

    1981年4月 - 1983年3月

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    国名： 日本国

    備考： 工学修士

  • 電気通信大学   電気通信学部   材料科学科

    1977年4月 - 1981年3月

    　 詳細

    国名： 日本国

    備考： 工学士

所属学協会

  • 応用物理学会

    2013年8月 - 現在

  • 電子情報通信学会

    1995年2月 - 現在

  • The Institute of Electrical and Electronics Engineers

    1993年12月 - 現在

委員歴

  • International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)   Program committee member  

    2021年11月 - 現在   

    　 詳細

    団体区分：学協会

  • International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma)   Program committee member  

    2018年4月 - 現在   

    　 詳細

    団体区分：学協会

研究テーマ

  • 化合物半導体ヘテロ接合パワーデバイスの研究

    岩田　直高, VILLAMIN　Maria　Emma　

    2017年度 - 現在

    　詳細

    　Siデバイスの性能を凌駕する安価な半導体デバイスが求められている。これに向けて、高速かつ高効率動作が可能で耐圧特性に勝る化合物半導体デバイス、特に窒化ガリウム(GaN)を用いた電力制御用やミリ波・マイクロ波帯用のパワートランジスタの開発に関連する研究を進めている。具体的には、AlGaN/GaNヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)や縦型トランジスタに注目している。HEMTの研究では、AlGaN上のGaNを選択的に除去するドライエッチング、接触抵抗の低いオーミック電極と原子層堆積法によるデバイス表面を安定化させる保護膜形成などの作製プロセス技術を開発した。これらの技術を用いて、p型GaNゲートをHEMT上に形成して、ノーマリオフ動作を実現した。次にGaNの物性から期待される素子特性の実現を目指して、GaN基板の上に設けるバッファ層がHEMT特性に及ぼす影響を、素子周囲に設けたサイドゲートからの変調で明らかにした。一方、縦型トランジスタの実現には低抵抗なp型GaN層が必須であり、レーザー照射によりアクセプタ不純物を活性化させる研究を進めている。
    　今後は、スーパー接合構造の形成を目指して、低電圧向けには横型のp型GaNゲートHEMTを展開したゲーテッドアノード構造のダイオードを検討し、高電圧動作用にはレーザー照射によるアクセプタ活性化研究の成果を適用して縦型構造デバイスの実現を目指す。

    成果：

    2023年度
    　p型GaN/AlGaN/GaN構造を有するゲーテッドアノードダイオードの研究では、p型GaNゲートの厚さと長さを変えた検討を行い、低オン抵抗を実現した。高耐圧化に向けては、スーパー接合構造のダイオードにおいて、p型GaN層の厚さを変えてアクセプタ濃度を制御し、高耐圧特性を実現した。今後は、これまでの成果を組み合わせた研究を進め、制御された0V付近のオン電圧を有し、低オン抵抗と高耐圧特性を示すデバイスの実現を図る。
    　一方、縦型のGaNスーパー接合構造形成のために、レーザー照射によるMgの活性化の研究を進めた。まずMgドープGaNを用いて、正孔濃度の強度依存性を明らかにし、熱処理と同等の活性化率を得た。MgとSiを共ドープしたGaN(成長後はn型)では、熱処理によるp型反転を確認した。今後は、Mg濃度へのフィードバックを行い、レーザー照射によるp型反転を図る。

    2022年度
    　p型GaN/AlGaN/GaN構造パワーデバイスのオン電圧制御と高耐圧化を図った。ゲーテッドアノードダイオードでは、p型GaNゲートの厚さを変えて低いオン電圧を実現した。高耐圧化に向けては、スーパー接合構造のダイオードにおいて、p型GaN層の厚さを変えてアクセプタ濃度を制御し、残留Siドナーを補償することで1.3 MV/cmの高耐圧化を実現した。これらの成果を組み合わせた研究から、制御されたオン電圧を有し、低オン抵抗と高耐圧特性を示すデバイスの実現が期待される。
    　一方、縦型スーパー接合構造形成のために、レーザー照射によるMgの活性化を検討した。MgドープGaNを用いて、正孔濃度の強度依存性を明らかにし、熱処理と同等の活性化率27%を得た。MgとSiを共ドープしたGaNでは、伝導帯とアクセプタとの発光を観察した。さらに、C-V測定で、活性化したMgアクセプタによる電子の補償を確認した。p型反転に向けて、高濃度Mgウエハの検討を進めている。

  • 超低消費電力半導体デバイスとシステムの研究

    岩田　直高, VILLAMIN　Maria　Emma　

    2017年度 - 現在

    　詳細

    　持続可能な省エネルギー社会の構築に寄与する超低消費電力半導体デバイスとシステムの実現に向けて、化合物半導体ナノ構造やヘテロ構造の研究を基に、それらのデバイスへの適用、さらに回路やシステム化技術との融合を検討している。具体的には、GaN系のヘテロ構造やスーパー接合を用いたパワーデバイスの研究開発を電力制御システム向けに進めている。最近は、エネルギーハーベスティング(環境発電)やワイヤレス電力伝送向けに、低い電圧から高い電圧まで高い効率で整流する高機能デバイスが求められている。これに向けて、p型GaNゲートHEMTの成果を適用して極めて低いオン電圧を示すとともに、スーパー接合の研究から得られつつある高い耐圧特性を兼ね備え、さらに正孔注入による高い電流密度も実現する新しい素子構造のヘテロ接合ダイオードの研究を進めている。今後は、これらの成果の適用により低電圧から高電圧までを高効率で整流するブリッジ回路ICの開発を進める。

    成果：

    2023年度
    p型GaNゲートHEMTの成果を適用したゲーテッドアノードダイオードの研究では、正孔注入による高い電流密度を実現する2段のp型GaNゲート構造を検討した。この新しいゲート構造においてオーミック電極を設けた領域のp型GaNの厚さと長さを変えた検討を行い、低オン抵抗を実現した。高耐圧化に向けては、オーミック電極を設けていない領域のp型GaN層の厚さを変えて高耐圧特性を実現した。これらの成果を組み合わせた研究から、0Vオン電圧を有し、低オン抵抗と高耐圧特性を示すデバイスの実現を目指す。

    2022年度
    p型GaNゲートHEMTの成果を適用したゲーテッドアノードダイオードの研究では、p型GaNゲートの厚さを変えて0Vに近い極めて低いオン電圧を実現した。このダイオードを用いたブリッジ回路ICで、0.2Vまでの交流信号の整流を実現した。高耐圧化に向けては、スーパー接合構造のダイオードにおいて、p型GaN層の厚さを変えてアクセプタ濃度を制御し、残留Siドナーを補償することで1.3 MV/cmの高耐圧化を実現した。さらに正孔注入による高い電流密度も実現する新しい素子構造のヘテロ接合ダイオードの研究を進めており、これらの成果を組み合わせた研究から、0Vオン電圧を有し、低オン抵抗と高耐圧特性を示すデバイスの実現を目指す。

  • 酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体量子構造のパッシベーションと被覆

    神谷　格, Ronel　Christian　Intal　ROCA, 岩田　直高

    2017年度 - 現在

    　詳細

    気相・液相法を用い、酸化物によるⅢ-Ⅴ族化合物半導体の量子井戸・量子ドットの表面パッシベーション及び被覆を実現させる。電子的に安定な表面を得ると共に、歪や相互拡散を抑制し、量子構造本来の物性を出現させることを目指す。

    成果：

    2023年度
    原子層堆積法によるAlO膜を用いてInAs表面のパッシベーションや量子ドットの被覆を実現し、発光強度の増加や発光波長シフトの抑制を実現した。

    2022年度
    原子層堆積法による酸化膜を用いて半導体表面のパッシベーションや量子ドットの被覆を実現し、量子ドットの歪や相互拡散に関する知見を得た。

論文

  • Passivation capping of InAs surface quantum dots by TMA/Al2O3: PL enhancement and blueshift suppression 査読

    Hanif Mohammadi, Ronel C. Roca, Yuwei Zhang, Hyunju Lee, Yoshio Ohshita, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya

    Journal of Applied Physics   133   185303 - 185303   2023年5月

    　詳細

    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Americal Institute of Physics  

    DOI： doi.org/10.1063/5.0140035

  • Breakdown voltage enhancement of p-GaN/AlGaN/GaN diode by controlling Mg acceptors for compensating residual Si donors 査読

    Soichiro Kawata*, Yuwei Zhang*, Naotaka Iwata

    Japanese Journal of Applied Physics   62   SA1004 - 1   2022年11月

    　詳細

    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN small area mesa device 査読 国際共著

    M.E. Villamin, R.C. Roca, I. Kamiya, N. Iwata

    Proc. SPIE Gallium Nitride Materials and Devices XIX   12886   128860F   2024年3月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：SPIE  

    DOI： 10.1117/12.3002082

  • Atomic layer deposition of diethylzinc/zinc oxide on InAs surface quantum dots: Self-clean-up and passivation processes 査読

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Yuwei Zhang*, Hyunju Lee*, Yoshio Ohshita, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya

    Applied Surface Science   612   155790   2022年11月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：Elsevier  

  • Low turn-on voltage rectifier using p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor for energy harvesting applications 査読

    ジャン　ユーウェイ, Soichiro Kawata*, Naotaka Iwata

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SA1013 - 1   2021年12月

    　詳細

    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on GaN substrates with different thicknesses of GaN channel and buffer layers using side-gate modulation 査読

    VILLAMIN, Maria Emma C., Naotaka Iwata

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SA1015 - 1   2021年12月

    　詳細

    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • High breakdown voltage of AlGaAs/GaAs/AlGaAs diode achieved by balanced charges considering residual carbon impurity in hole and electron channels 査読

    Hiroaki Ogawa*, Soichiro Kawata*, Naotaka Iwata

    Japanese Journal of Applied Physics   60   041001 - 1   2021年4月

    　詳細

    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effect of C- and Fe-doped GaN buffer on AlGaN/GaN HEMT performance on GaN substrate using side-gate modulation 査読

    VILLAMIN, Maria Emma C., Takaaki Kondo*, Naotaka Iwata

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SBBD17 - 1   2021年3月

    　詳細

    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • High-selectivity dry etching for p-type GaN gate formation of normally-off operation high-electron-mobility transistor 査読

    Naotaka Iwata, Takaaki Kondo*

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SAAD01 - 1   2020年10月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • High-selectivity dry etching for p-type GaN gate formation of normally-off operation high-electron-mobility transistor 査読

    Naotaka Iwata, Takaaki Kondo*

    Japanese Journal of Applied Physics   60   SAAD01 - 1   2020年10月

    　詳細

    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effects of p-GaN gate structures and fabrication process on performances of normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors 査読

    Takaaki Kondo*, Yoshihiko Akazawa*, Naotaka Iwata

    Japanese Journal of Applied Physics   59   SAAD02 - 1   2019年11月

    　詳細

    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

  • Carrier Transportation at Novel Silver Paste Contact 査読

    神岡　武文, Satoshi Kameyama, Kazuo Muramatsu, Aki Tanaka*, Naotaka Iwata, Kyotaro Nakamura, Atsushi Ogura*, Yoshio Ohshita

    Proceedings of the 44th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC44)   2018年3月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

  • Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices 査読

    Noriko Kurose **, Kota Matsumoto*, 山田　郁彦, テウク モハマド ロフィ, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, Yoshinobu Aoyagi **

    AIP Advances   8 ( 015329 )   1 - 5   2018年1月 （   ISSN:2158-3226 ）

    　詳細

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：American Institute of Physics  

  • Charge-Controllable Mg-Doped AlOx Passivation Layers for p- and n-Type Silicon 査読

    リ　ヒュンジュ, Fumiya Nishimura*, Haruhiko Yoshida*, 神岡　武文, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    Proceedings of the 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition   399 - 401   2017年11月 （ ISBN:3-936338-47-7 ）

    　詳細

    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：WIP  

  • Excellent Surface Passivation of Crystalline Silicon by Ternary AlxMg1-xOy Thin Films 査読

    リ　ヒュンジュ, 神岡　武文, Dongyan Zhang*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    Proceedings of the 43th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC43)   2931 - 2934   2016年11月 （ ISBN:978-1-5090-2724-8 ）

    　詳細

    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：IEEE  

  • Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET 査読

    Noriko Kurose **, Kota Ozeki **, Tsutomu Araki **, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi **

    The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), Toyama Japan   ThD2 - 4   2016年6月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics and The Institute of Electrical and Electronic Engineers  

  • SiNx Passivated GaN HEMT by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition 査読

    Takayuki Suzuki*, Tomiaki Yamada*, Ryosuke Kawai*, Shohei Kawaguchi*, Dongyan Zhang*, Naotaka Iwata

    The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), Toyama Japan   MoP - ISCS   2016年6月

    　詳細

    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • InGaAs triangular barrier photodiodes for high-responsivity detection of near-infrared light 査読

    Kazuya Sugimura*, Masato Ohmori*, Takeshi Noda **, Tomoya Kojima*, Sakunari Kado*, Pavel Vitushinskiy*, Naotaka Iwata, Hiroyuki Sakaki*

    Applied Physics Express   9   062101   2016年5月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics  

  • The Current Conduction Mechanism of Novel Silver Thick Film Electrode 査読

    Tetsu Takahashi*, Tomihisa Tachibana*, 神岡　武文, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    Proc. 31st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition   696 - 699   2015年11月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：WIP  

  • AlGaAs/InGaAs HEMTs Passivated with Atomic Layer Deposited SiO2 using Aminosilane Precursors 査読

    Takayuki Suzuki 電子デバイス*, Yousuke Takigawa 電子デバイス*, Naotaka Iwata, チョウ　トウエン, Yoshio Ohshita

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)   2015年6月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：IEEE  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2015.7158492

  • Formation of conductive spontaneous via holes in AlN buffer layer on n+Si substrate by filling the vias with n-AlGaN by metal organic chemical vapor deposition and application to vertical deep ultraviolet photo-sensor 査読

    Noriko Kurose Ritsumeikan University*, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi Ritsumeikan University*

    AIP Advances   4   123007   2014年12月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The American Institute of Physics  

  • Si etching with reactive neutral beams of very low energy 査読

    Yasuhiro Hara Kansai Unversity*, Takaya Mise RIKEN*, Manabu Hamagaki RIKEN*, Naotaka Iwata, 原　民夫

    Journal of Applied Physics   116 ( 22 )   223301   2014年12月

    　詳細

    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The American Institute of Physics  

  • Evaluation of Interface Recombination Induced by Fire-through Ag Past for High Open Circuit Voltage 査読

    M. Aoki*, Yoshio Ohshita, T. Takahashi*, 立花　福久, I. Suminta, Y. Takigawa*, Naotaka Iwata

    Proc. 29th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition   1368 - 1370   2014年11月

    　詳細

    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   出版者・発行元：WIP  

  • 1.8V Operation Power Amplifier IC for Bluetooth Class 1 Utilizing p^+-GaAs Gate Hetero-Junction FET 査読

    HARIMA Fumio, BITO Yasunori, TAKAHASHI Hidemasa, IWATA Naotaka

    IEICE transactions on electronics   91 ( 7 )   1104 - 1108   2008年7月 （   ISSN:0916-8524 ）

    　詳細

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers  

    We have developed a power amplifier IC for Bluetooth Class 1 operating at single low voltage of 1.8V for both control and drain voltages. We can realize it due to fully enhancement-mode hetero-junction FETs utilizing a re-grown p+-GaAs gate technology. The power amplifier is a highly compact design as a small package of 1.5mm×1.5mm×0.4mm with fully integrated gain control and shutdown functions. An impressive power added efficiency of 52% at an output power of 20dBm is achieved with an associated gain of 22dB. Also, sufficiently low leakage current of 0.25μA at 27°C is exhibited, which is comparable to conventional HBT power amplifiers.

    DOI： 10.1093/ietele/e91-c.7.1104

  • SrTiO 3 Capacitor with Relative Dielectric Constant of 200 on GaAs Substrate at Microwave Frequency 査読

    Nishimura Takeshi B., Iwata Naotaka, Takemura Koichi, Kuzuhara Masaaki, Miyasaka Yoichi

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters   35 ( 12 )   L1683 - L1684   1996年12月 （   ISSN:0021-4922 ）

    　詳細

    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：社団法人応用物理学会  

    An RF-sputtered SrTiO3 (STO) capacitor was fabricated on a GaAs substrate. Microwave characterization exhibited a relative dielectric constant (εr) of 200 up to 20 GHz. This high ε r was obtained when the base electrode and the STO film were sputter-deposited in succession. A novel Pt/Ti/Pt/Ti base metal exhibited high tolerance against ion-milling, resulting in lower Ohmic resistance compared to the conventional base metal, Pt/Ti.

    DOI： 10.1143/JJAP.35.L1683

    その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00044138165?from=CiNii

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MISC

  • 携帯電話アンテナインピーダンス整合用GaAsスイッチIC (電子デバイス特集) -- (モバイル、ワイヤレス分野に向けた半導体・ソリューション)

    岩田 直高, 藤田 祐智

    NEC技報   62 ( 1 )   34 - 37   2009年1月 （   ISSN:0285-4139 ）

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：日本電気  

  • ワイヤレスブロードバンド用GaAsスイッチIC (電子デバイス特集) -- (デジタルコンシューマ分野向け半導体)

    岩田 直高, 椙田 耕太郎

    NEC技報   60 ( 4 )   22 - 25   2007年10月 （   ISSN:0285-4139 ）

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：日本電気  

  • High Power GaAs Heterojunction FET with Dual Field-Modulating-Plates for 28V Operated W-CDMA Base Station

    ISHIKURA Kouji, TAKENAKA Isao, TAKAHASHI Hidemasa, HASEGAWA Kouichi, ASANO Kazunori, IWATA Naotaka

    IEICE transactions on electronics   90 ( 5 )   923 - 928   2007年5月 （   ISSN:0916-8524 ）

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    This report presents Dual Field-modulating-Plates (Dual-FP) technology for a 28V operated high power GaAs heterojunction FET (HJFET) amplifier. A developed HJFET has two FP electrodes; the 1st-FP is connected to the gate and the 2nd-FP to the ground. The 2nd-FP suppresses the drain current dispersion effectively cooperating with the 1st-FP, and it can also reduce the gate-drain parasitic capacitance. The developed push-pull amplifier, with four Dual-FPFET chips, demonstrated 55.1dBm (320W) output power with a 14.0dB linear gain and a drain efficiency of 62% at 2.14GHz. Under two-carrier W-CDMA signals, it showed a high drain efficiency of 30% and low third-order Inter-modulation distortion of -37dBc at output power of 47.5dBm.

  • 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ

    竹中 功, 石倉 幸治, 高橋 英匡, 長谷川 浩一, 上田 隆, 栗原 俊道, 麻埜 和則, 岩田 直高

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   106 ( 459 )   149 - 154   2007年1月 （   ISSN:0913-5685 ）

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    携帯電話基地局向けに低歪ドハティ高出力増幅器を開発した。本増幅器は28V動作の150W GaAsヘテロ接合FETにより構成し、ドハティ構成のメイン増幅器とピーク増幅器の歪相殺効果を利用して2.14GHzで飽和出力330Wを得ながら、2.135GHz+2.145GHzのW-CDMA2波入力で約6dB出力バックオフの49dBm出力時に3次相互歪-37dBcの低歪特性とドレイン効率42%の高効率特性の両立を実現した。さらに、ドハティ増幅動作時におけるメイン増幅器とピーク増幅器のAM-AM,AM-PM特性を評価する手法を提案し、歪相殺効果を実験的に明らかにした。

  • CT-1-7 GaAsヘテロ接合FETのパワーアンプとスイッチへの適用(CT-1.移動体通信を支える化合物半導体デバイス,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)

    岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2006 ( 2 )   "SS - 11"   2006年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • SC-7-2 Linearization of Class AB Amplifiers Based on Predistortion for High Efficiency, Low Distortion Operation

    Hau Gary, 西村 武史, 高橋 英匡, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2001 ( 2 )   179 - 180   2001年3月

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-10-5 W-CDMA基地局用高効率240Wヘテロ接合FET

    石倉 幸治, 竹中 功, 岸 一弘, 小笠原 靖, 長谷川 浩一, 江森 文章, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2001 ( 2 )   67 - 67   2001年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • 1.0V Operation Power Heterojunction FET for Digital Cellular Phones

    KATO Takehiko, BITO Yasunori, IWATA Naotaka

    IEICE transactions on electronics   84 ( 2 )   249 - 252   2001年2月 （   ISSN:0916-8524 ）

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    This paper describes 1.0V operation power performance of a double doped AIGaAs/InGaAs/AIGaAs heterojunction FET for personal digital cellular phones. The developed FET with a multilayer cap consisting of a highly Si-doped GaAs, an undoped GaAs and a highly Si-doped AIGaAs exhibited an on-resistance of 1.3Ω・mm and a maximum drain current of 620mA/mm. A 28mm gate-width device, operating with a drain bias voltage of 1.0V, demonstrated an output power of 1.0W, a power-added efficiency of 59% and an associated gain of 13.7dB at an adjacent channel leakage power at 50kHz offcenter frequency of -48dBc with a 950MHz π/4-shifted quadrature phase shift keying signal.

  • エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高効率・高出力モジュール

    尾藤 康則, 加藤 武彦, 加藤 輝久, 岩田 直高

    電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波   100 ( 551 )   23 - 28   2001年1月 （   ISSN:0913-5685 ）

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    Wide-band CDMA(W-CDMA)端末用0.1cc高出力マルチチップモジュール(MCM)を試作した。搭載した素子は、エンハンスメント型ダブルドープダブルヘテロ接合FET(HJFET)であり、ゲート順方向立上り電圧を高めるため、In_<0.2>Ga_<0.8>Asチャネル層の上に5nm厚さのAl_<0.5>Ga_<0.5>Asバリア層を配している。また、上下Al_<0.2>Ga_<0.8>As電子供給層厚さを最適化して、最大ドレイン電流を高めている。2段アンプMCM(ゲート幅:前段3.2mm, 後段12.8mm)の1.9GHz W-CDMA出力特性を3.5V単一正電源にて評価した。その結果、W-CDMA歪規格時に出力電力26.0dBm、電力付加効率(PAE)47.2%及び付随利得22.3dBを得た。得られたPAEは世界最高値である。また、電源電圧2.0Vにおいても、PAE=46%の良好な低電圧出力特性を得た。以上の結果より、試作したMCMはW-CDMA端末用パワーアンプとして有望であると考える。

  • C-10-9 エンハンスメント型ヘテロ接合FETを搭載したW-CDMA端末用高出力モジュール

    尾藤 康則, 加藤 武彦, 加藤 輝久, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2000 ( 2 )   61 - 61   2000年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-10-14 歪補償と利得可変機能を有するW-CDMA端末用MMICパワーアンプ

    Gary Hau, 西村 武史, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2000 ( 2 )   66 - 66   2000年9月

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性

    西村 武史, 富田 正俊, 尾藤 康則, Hau Gary, 田能村 昌宏, 三好 陽介, 播磨 史生, 東 晃司, 嶋脇 秀徳, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   2000 ( 2 )   60 - 60   2000年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • L帯100W高電圧動作FP-HFET

    佐倉 直喜, 石倉 幸治, 竹中 功, 麻埜 和則, 松永 高治, 岩田 直高, 金森 幹夫, 葛原 正明

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2000 ( 2 )   72 - 72   2000年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • リニアライザを搭載したW-CDMA端末用MMICパワーアンプ

    Hau Gary, 西村 武史, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2000 ( 2 )   77 - 77   2000年3月

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • Al_<0.5>Ga_<0.5>Asバリア層を配したエンハンスメント型ヘテロ接合FETのW-CDMA出力特性

    尾藤 康則, 加藤 武彦, 富田 正俊, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   2000 ( 2 )   79 - 79   2000年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • 広い出力電力範囲で高効率特性を示すW-CDMA端末用リニアライザ装荷ヘテロ接合FETパワーアンプ

    西村 武史, 岩田 直高, 岩田 直高

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   99 ( 555 )   41 - 46   2000年1月 （   ISSN:0913-5685 ）

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    広い出力電力範囲で高効率特性を示す1.95GHzW-CDMA端末用パワーアンプを開発した。パワーアンプは高出力ヘテロ接合FETとそれの線形性を向上するためのMMICプリディストータからなる。プリディストータの装荷により、隣接チャネル漏洩電力(ACPR)-40dBc時のパワーアンプ出力電力(P_out)は25.5dBmから26.2dBmに、電力付加効率(PAE)は54.4%から57.4%にそれぞれ向上した。また、動作電圧の制御により、13dBmの低出力時にも47.7%の項率を得た。作製したパワーアンプは21dBの電力範囲に渡って40%以上の効率を示し、広いダイナミックレンジが必要なW-CDMA端末用に好適である。

  • C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性

    田能村昌宏, 三好 陽介, 川中 雅史, 西村 武史, 播磨 史生, 佐藤 博幸, 高橋 秀樹, 吉田 貞義, 東 晃司, 岩田 直高, 嶋脇 秀徳

    電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集   2   59 - 59   2000年

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • Wide-Band CDMA Distortion Characteristics of an AlGaAs/InGaAs/AlGaAs Heterojunction FET under Various Quiescent Drain Current Operations

    HAU Gary, NISHIMURA Takeshi, IWATA Naotaka

    IEICE transactions on electronics   82 ( 11 )   1928 - 1935   1999年11月 （   ISSN:0916-8524 ）

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    Wide-band CDMA (W-CDMA) distortion characteristics of a fabricated double-doped heterojunction FET (HJFET) are presented. Measured results demonstrate that the first and second adjacent channel W-CDMA adjacent channel leakage power ratios (ACPRs) of the HJFET are correlated to the third-and fifth-order intermodulation (IM3 and IM5) distortions respectively under various quiescent drain current operation (I_q). A first channel ACPR dip phenomenon is observed under a low I_q. condition, resulting in improved power added efficiency. Due to its close correlation to the IM3 distortion, the ACPR dip phenomenon is explained in terms of the similar IM3 characteristic. Simulated results reveal that the dip is a consequence of the cancellation of distortions generated by the third-and fifth-order nonlinearities at the IM3 frequency. The conditions for the cancellation are detailed.

  • 完全整合MMIC合成による広帯域Ka帯4W電力増幅器

    松永 高治, 三浦 郁雄, 岩田 直高

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   99 ( 440 )   21 - 27   1999年11月 （   ISSN:0913-5685 ）

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本報告書は、Ka帯電力増幅器に関するものである。電力増幅器は、ゲート長0.35μmよりなる高出力へテロ接合FETを能動素子とする完全整合MMICを4合成して構成した。用いた完全整合MMICは28GHz帯で出力1Wを示すものであり、これを入出力共に同じ出力合成回路基板を用いて合成する事により、増幅器は容易に構成できる。試作した電力増幅器は、周波数28GHzにおいて出力3W、電力付加効率20.5%を達成し、最大出力として4.5Wを得た。さらに、Ka帯比帯域2GHzにおいて出力3W以上の広帯域性が得られた。

  • W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(I) : プリディストータの設計と評価

    Hau Gary, 西村 武史, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1999 ( 2 )   47 - 47   1999年8月

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-10-7 FP構造HFETのL帯50W高電圧動作

    佐倉 直喜, 石倉 幸冶, 麻埜 和則, 松永 高冶, 岩田 直高, 金森 幹夫, 葛原 正明

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1999 ( 2 )   44 - 44   1999年8月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-10-11 W-CDMA端末用高効率パワーアンプ(II) : プリディストータ特性を活用した高効率化検討

    西村 武史, Hau Gary, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1999 ( 2 )   48 - 48   1999年8月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性

    岩田 直高, 西村 武史, 加藤 武彦, 富田 正俊, 尾藤 康則, 尾藤 康則

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   99 ( 146 )   77 - 82   1999年6月 （   ISSN:0913-5685 ）

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    多層キャップ構造の適用により低いオン抵抗(1.4Ω・mm)を有するSi-doped AlGaAs/InGaAs/Si-doped AlGaAsヘテロ接合FET(HJFEF)をW-CDMA規格に準拠して評価した。セットドレイン電流50mA,動作電圧3.5Vにおいて最適整合したゲート幅19.2mmのFETは、隣接チャネル漏洩電力比-40dBc時に出力電力570mWと電力付加効率54%を示した。このFETのドレインバイアス供給回路にDC-DCコンバータを用いて1.0V動作させたところ、21%の効率(コンバータ効率含む)を20mW出力時に達成した。高効率HJFETとDC-DCコンバータの組合せが、広い出力電力範囲で高い効率を必要とするW-CDMA端末用パワーアンプに好適である。

  • SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria

    Gary Hau, 西村 武史, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1999 ( 1 )   447 - 448   1999年3月

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-10-3 W-CDMA用HJFETによる広い出力電力範囲での高効率化検討

    西村 武史, HAU Gary, 富田 正俊, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1999 ( 2 )   75 - 75   1999年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-10-4 Correlation between Wide-Band CDMA Distortion Characteristics and Intermodulation Distortions of a Heterojunction FET

    Hau Gary, 西村 武史, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1999 ( 2 )   76 - 76   1999年3月

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET

    佐倉 直喜, 松永 高冶, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1999 ( 2 )   80 - 80   1999年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-2-51 Ka帯1W高出力MMIC増幅器

    松永 高治, 三浦 郁雄, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1999 ( 1 )   89 - 89   1999年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • C-2-57 中間周波数での安定性を高めたV帯高出力アンプ

    井上 隆, 岩田 直高, 大畑 恵一

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1999 ( 1 )   95 - 95   1999年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • SC-10-5 Simulation of Distortion Characteristics of a Heterojunction FET under Wide-Band CDMA Criteria

    Hau Gary, 西村 武史, 岩田 直高

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1999 ( 2 )   233 - 234   1999年3月

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • コンタクト抵抗を低減したヘテロ接合FETの低電圧PDC出力特性評価

    加藤 武彦, 尾藤 康則, 岩田 直高

    電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波   98 ( 522 )   13 - 18   1999年1月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    移動体通信端末用に低電圧動作AlGaAs/InGaAs/AlGaAsヘテロ接合FETを試作評価した。FETが低電圧動作時に高出力・高効率を得るためには素子のオン抵抗低減が必要である。そこで、ドライエッチングによるリセス形成用のAlGaAsストッパ層への高濃度ドナー添加と狭リセスの適用により1.3Ω・mmの低いオン抵抗を得た。また、最大ドレイン電流は620mA/mmであった。ゲート幅28mm素子を用いて1.0V動作で950MHz PDC出力特性を評価したところ、50kHz離調の隣接チャネル漏洩電力-48.0dBc時に、出力電力1.0W、電力付加効率59%、付随利得13.7dBを得た。

  • デジタル携帯電話用1.1V動作高出力HJFET

    加藤 武彦, 尾藤 康則, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1998 ( 2 )   50 - 50   1998年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • Proposed Double-Doped Power Metamorphic HJFET for Low Voltage Operation

    コントラッタ ウォルター, 岩田 直高, 佐本 典彦

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1998 ( 2 )   68 - 68   1998年9月

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • デジタル携帯電話用3.5V単一電源動作低オン抵抗エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET

    尾藤 康則, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1998 ( 2 )   53 - 53   1998年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • 効率44%を示す3.5V動作W-CDMA用高出力HJFET

    西村 武史, 尾藤 康則, 富田 正俊, Hau Gary, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1998 ( 2 )   49 - 49   1998年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • Single 1.5 V Operation Power Amplifier MMIC with SrTiO_3 Capacitors for 2.4 GHz Wireless Applications

    B. NISHIMURA Takeshi, IWATA Naotaka, YAMAGUCHI Keiko, TOMITA Masatoshi, BITO Yasunori, TAKEMURA Koichi, MIYASAKA Yoichi

    IEICE transactions on electronics   81 ( 6 )   898 - 903   1998年6月 （   ISSN:0916-8524 ）

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    This paper describes design approach and power performance of a single 1.5V operation two-stage power amplifier MMIC for 2.4GHz wireless local area network applications. The MMIC with 0.76×0.96mm^2 area includes SrTiO_3(STO)capacitors with a high capacitance density of 8.0fF/μm^2 and double-doped AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterojunction FETs with a shallow threshold voltage of-0.24V. Utilizing a series STO capacitor and a shunt inductor as an output matching circuit, the total chip size was reduced by 40% as compared with an MMIC utilizing SiN_x capacitors. Under single 1.5V operation, the developed MMIC delivered an output power of 110mW(20.4dBm)and a power-added efficiency(PAE)of 36.7% with an associated gain of 20.0dB at 2.4GHz. Even operated at a drain bias voltage of 0.8V, the MMIC exhibited a high PAE of 31.0%.

  • 1997年度アジアパシフィックマイクロ波会議の報告

    伊藤 康之, 岩田 直高, 河合 正, 川崎 繁雄, 黒木 太司, 佐薙 稔

    電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波   98 ( 74 )   77 - 83   1998年5月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    本稿は1997年12月2日から12月5日の間, 香港城市大學(City University of Hong Kong)で開催された第9回アジアパシフィックマイクロ波会議(The 9^<th>Asia Pacific Microwave Conference, APMC'97)で発表された304件の論文(内19件が招待講演)の内容を取りまとめたものである.304件の論文を電磁界解析・導波路, 能動回路, アンテナ, システム応用, CAD, マイクロ波測定, 光関係, 超電導に分類し, そのトピックスを紹介する.

  • SrTiO_3キャパシタ搭載3.5V動作W-CDMA用MMICアンプ

    西村 武史, 岩田 直高, 山口 佳子, 竹村 浩一, 宮坂 洋一

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1998 ( 2 )   100 - 100   1998年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • 効率64%を有するPDC用3.5V動作エンハンスメント型パワーヘテロ接合FET

    尾藤 康則, 岩田 直高, 富田 正俊

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1998 ( 2 )   103 - 103   1998年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

  • STOキャパシタを用いた低電圧動作移動体通信用MMICパワーアンプ

    西村 武史, 岩田 直高, 山口 佳子, 富田 正俊, 竹村 浩一, 宮坂 洋一

    電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波   97 ( 477 )   21 - 26   1998年1月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    PDC用, CDMA用及びWLAN用のGaAs MMICパワーアンプを試作評価した。作製したMMICは、ダブルドープダブルヘテロ接合FETと高誘電率SrTiO_3キャパシタを用いることにより、整合回路とバイアス回路を内蔵した上で世界最小のサイズを実現した。チップサイズ2.0×2.4mm^2の950MHzPDC用2段パワーアンプは、-50.5dBcの50kHz離調隣接チャネル漏洩電力時に0.8Wの出力電力 (P_<out>), 30%の電力付加効率 (PAE) 及び26.4dBの付随利得 (G_a) を3.4V動作で得た。チップサイズ2.0×1.5mm^2の84OMHzCDMA用2段パワーアンプは、IS-95規格時にP_<out>=0.93W, PAE=48.6%及びG_a=28.4dBを3.5V動作で得た。また、チップサイズ0.76×0.96mm^2のWLAN用2段パワーアンプは、2.48GHzにてP_<out>=182mW, PAE=33.2%, G_a=22.7dBの特性を2.2V単一電源動作で得た。

  • 50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET

    山口 佳子, 富田 正俊, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1997 ( 2 )   35 - 35   1997年8月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    携帯電話の周波数利用効率の向上や高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。CDMA方式ではアメリカや韓国のIS-95規格での実用化が先行している。CDMA方式では送信電力の可変制御範囲が80dBと広く、この全範囲にわたって低歪高効率動作が求められる。今回、狭いリセス構造を有するグブルド-プダブルヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、950MHzにおけるIS-95規格に準拠した出力特性を評価したので報告する。

  • 単一3.4V動作PDC用ヘテロ接合FET

    尾藤 康則, 富田 正俊, 山口 佳子, 西村 武史, 岩田 直高

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1997 ( 2 )   34 - 34   1997年8月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    携帯電話の小型軽量化と低コス卜化が進んでいる。これに対応するには負電源回路の省略も一方策である。そのため、単一電源動作が可能な高出力素子が強く求められている。今回、1.0μm長のWSiゲートを有するヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、単一3.4V動作において950MHz PDC出力特性を評価したので報告する。

  • 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ

    西村 武史, 岩田 直高, 山口 佳子, 富田 正俊, 尾藤 康則, 竹村 浩一, 宮坂 洋一

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1997 ( 2 )   37 - 37   1997年8月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    携帯電話の周波数利用効率の向上や、高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。今回、単一電源動作可能なHJFETとSrTiO_3(STO)キャパシタを用いたMMIC2段パワーアンプを作製し、IS-95規格に準拠した出力特性を評価したので報告する。

  • 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ

    山口 佳子, 岩田 直高, 西村 武史, 富田 正俊, 竹村 浩一, 宮坂 洋一

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1997 ( 2 )   36 - 36   1997年8月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    携帯電話の周波数利用効率の向上や高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。CDMA方式ではアメリカや韓国のIS-95規格での実用化が先行している。今回、SrTiO_3(STO)キャパシタとグブルド-プダブルヘテロ構造を持つヘテロ接合FET(HJFET)を用いたMMICパワーアンプを試作し、IS-95規格に準拠した出力特性を評価したので報告する。

  • 超小型3.4 V動作PDC用1W MMICパワーアンプ

    山口 佳子, 西村 武史, 岩田 直高, 竹村 浩一, 葛原 正明, 宮坂 洋一

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1997 ( 2 )   92 - 92   1997年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    デジタル携帯電話(PDC)の小型軽量化のために, パワーアンプの小型化, 低電圧動作化が強く求められている。我々はこれまで, ダブルドープダブルヘテロ構造を持つヘテロ接合FET(HJFET)の開発を継続しており, 0.2 V動作においてて50 kHz離調隣接チャネル漏洩電力(P_<adj>)=-50.5 dBc時に出力(P_<out>)1.0 W, 電力付加効率(PAE)51.5%を得ている。一方, 20 GHzまで比誘電率(ε_r)200を持つSrTiO_3(STO)キャパシタも開発した。今回これらの要素技術を統合し, 超小型PDC用MMICパワーアンプを開発したので報告する。

  • 低電圧動作PDC用小型高出力ヘテロ接合FET

    岩田 直高, 山口 佳子, 富田 正俊, 尾藤 康則, 葛原 正明

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1997 ( 2 )   286 - 287   1997年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    最近では, Liイオン電池1本で動作する小型軽量なデジタル携帯電話が普及している。今後は, より一層の小形軽量化, 通話の長時間化及び低コスト化が進むと予想される。高出力素子に対しては, 低電圧動作化, 電力付加効率の向上, チップ面積縮小の要求が高まっている。これに対して我々は, グブルドープダブルヘテロ接合FET(HJFET)の開発を継続している。今回, オン抵抗(R_<on>)を低減したFETを開発し, 1.2 V動作ではゲート幅(W_g)28.0 mmの素子で, また3.4 V動作では, W_g=7.0 mmの素子で良好なPDC出力特性を得たので報告する。

  • 単一2.2V動作STOキャパシタ搭載WLAN用MMICパワーアンプ

    西村 武史, 山口 佳子, 岩田 直高, 富田 正俊, 竹村 浩一, 葛原 正明, 宮坂 洋一

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1997 ( 2 )   95 - 95   1997年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    2.4 GHz帯無線ローカルエリアネットワーク(WLAN)システムはPCカードでの普及が進んでいる。このため, 超小型で高効率かつ低電庄単一電源動作が可能なMMICアンプが求められている。我々はこれまで, 単一電源動作可能なダブルドープダブルヘテロ接合FET(HJFET)と, 20 GHzまで比誘電率(ε_r)200を持つSrTiO_3(STO)薄膜キャパシタをGaAs基板上に形成するプロセスを開発した。今回これらの技術を用い, 2.2 Vにて単一電源動作可能な超小型高効率MMICパワーアンプを開発したので報告する。

  • 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET

    岩田 直高, 富田 正俊, 山口 佳子, 及川 洋一, 葛原 正明

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   96 ( 462 )   15 - 18   1997年1月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    0.8μm長WSiゲートとドライリセスエッチングプロセスを適用した高出力ダブルドープダブルヘテロ接合FETを試作した。オン抵抗は2.3Ω・mm, 最大ドレイン電流は640mA/mm, 相互コンダクタンスは330mS/mm, ゲート-ドレイン耐圧は12.7Vである。3.4V動作における950MHzのπ/4シフトQPSK信号を用いた評価より、-51.5dBcの50kHz離調隣接チャネル漏洩電力時に1.23W(30.9dBm)の出力と56.3%の電力付加効率をゲート幅7.0mmの素子で得た。また、A級動作を想定した考察から、PDC規格を満たすFETの最小ゲート幅を見積もる方法を示した。

  • ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET

    岩田 直高, 富田 正俊, 山口 佳子, 及川 洋一, 葛原 正明

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1996 ( 2 )   76 - 76   1996年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    最近ではLiイオン電池1本で動作するデジタル携帯電話が市販され、令後は一層の小型軽量化と低コスト化が進むと予想される。これへの対応には、GaAsチップ面積の縮小が有効である。令回、ゲート幅(Wg)7.0mmのオフセットゲートヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、良好な特性を得たので報告する。

  • Ptショットキゲート高電流InP MESFET

    尾藤 康則, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1996 ( 2 )   78 - 78   1996年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    InPはGaAsより、高い電子飽和速度と低熱抵抗を持つため、マイクロ波帯高出力素子材料として期待が大きい。しかしながら、ショットキ障壁(φB)が低いため、MESFETの実現は困難であるとされてきた。最近、ショットキ障壁の改善により良好なピンチオフ特性を持つドレイン電流密度23mA/mmの3.5μm長PtゲートMESFETが報告された。今回、160mA/mmの1.0μm長PtゲートMESFETにて良好なピンチオフ特性を得たので報告する。

  • NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET

    山口 佳子, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1996 ( 2 )   75 - 75   1996年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    小型軽量かつ低コストな携帯電話の実現に向けて、NiMH電池1本(1.2V)で動作する高出力素子の開発を継続している。低電圧動作でのPDC規格達成に重要なFETパラメータの見極めとそれを可能にするFET構造の最適化が不可欠である。本報告では、低電圧動作に重要なFETパラメータをA級動作解析より考察し、1.2V動作にてPDC規格を満たすヘテロ接合FET(HJFET)を試作したので報告する。

  • NiMH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET

    山口 佳子, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   96 ( 108 )   39 - 44   1996年6月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    0.8μm長オフセットゲートを有する高出力ダブルドープダブルヘテロ接合FETを試作検討した。最大ドレイン電流は640mA/mm,相互コンダクタンスは340mS/mm,最大ドレイン電流を与えるI-Vカーブの線形領域の傾きから求めたオン抵抗は2.12Ωmmである。950MHzのπ/4シフトQPSK信号を用いた評価より、ゲート幅38.5mmの素子は、-49.3dBcの50kHz離調隣接チャネル漏洩電力時に1.15Wの出力と39%の電力付加効率を1.2V動作時に達成した。この良好な低電圧PDC特性は、高い最大ドレイン電流と、ゲート-ソース間のリセス間隔の短縮により、低い実効knee電圧を実現できたことによる。

  • NiMH電池1本で動作する1.1Wヘテロ接合FET

    山口 佳子, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1996 ( 2 )   99 - 99   1996年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    小型軽量かつ低コストな携帯電話の実現には電池本数の低減が有効である。最近では、電池1本動作を目指した電源電圧(Vds)1.5V以下での高出力素子の検討がなされている。高出力素子の低電圧化には、高電流化及びknee電圧の低減が必要であると同時に、しきい値電圧(V_T)は負電源回路の制約から-1.2Vより浅いしきい値(V_T)が望まれる。今回、ダブルドープ構造ヘテロ接合FET(HJFET)の高電流化を検討し、1.2V動作において出力1W以上の良好な特性を得たので報告する。

  • HJ-FETを用いた3.4V、1.5GHz帯デジタルセルラー用 Multi-Chip IC モジュール

    長谷川 安昭, 小形 幸範, 山口 佳子, 岩田 直高, 金森 幹夫, 伊東 朋弘

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   95 ( 449 )   79 - 83   1996年1月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    3.4V動作デジタル携帯電話用1.5GHz帯低歪増幅器として、ダブルドープダブルヘテロ接合FET (HJFET)を採用した2段増幅器モジュールを開発した。周波数1429MHzから1453MHzのπ/4シフトQPSK変調信号出力31.2dBmにおいて、電力付加効率46%、隣接チャネル漏洩電力(離調周波数±50KHz) -53dBcの良好な特性を得た。小型化のために2個のFETを1チップ化し、FETキャリヤを1個とすることにより、パッケージサイズは14.2x11.2x2.4mm(0.4cc)となり、従来のMCICの約1/2の体積となった。

  • 移動体通信用1.2V動作1.1Wヘテロ接合FET

    山口 佳子, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   95 ( 448 )   7 - 12   1996年1月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    NiMH電池1本で動作する携帯電話用高出力素子として、AlGaAs/InGaAs/AlGaAsダブルドープダプルヘテロ接合FET(HJFET)を開発した。素子構造において、電子供給層の高濃度化及びゲート電極のアンドープAlGaAsショットキー層への埋め込み構造を検討した。その結果、Imax=600MA/mm、gm=260mS/mmを達成した。周波数950MHz、1.2V動作において、ゲート幅28mmのHJFETは出力重視整合時に、飽和出力1.1W及び電力付加効率54%を示した。一方、効率重視整合時には、電力付加効率63%及び飽和出力0.6Wを得た。また、ロードプル測定より、出力最大となる負荷インピーダンスと効率最大となる負荷インピーダンスが近接することが分かった。本素子はNiMH電池1本で動作する超小型軽量及び低コスト携帯電話の実現に有効である。

  • Power Heterojunction FETs for Low-Voltage Digital Cellular Applications

    INOSAKO Keiko, IWATA Naotaka, KUZUHARA Masaaki

    IEICE transactions on electronics   78 ( 9 )   1241 - 1245   1995年9月 （   ISSN:0916-8524 ）

    　詳細

    記述言語：英語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    This paper describes 950 MHz power performance of double-doped AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterojunction field-effect transistors (HJFET) operated at a drain bias voltage ranging from 2.5 to 3.5 V. The developed 1.0μm gate-length HJFET exhibited a maximum drain current (I_ltmaxgt) of 500 mA/mm, a transconductance (g_m) of 300 mS/mm, and a gate-to-drain breakdown voltage of 11 V. Operated at 3.0 V, a 17.5 mm gate periphery HJFET showed 1.4 W P_ltoutgt and -50.3 dBc adjacent channel leakage power at a 50kHz off-carrier frequency from 950 MHz with 50% PAE. Harmonic balance simulations revealed that the flat g_m characteristics of the HJFET with respect to gate bias voltage are effective to suppress intermodulation distortion under large signal operation. The developed HJFET has great potential for small-sized digital cellular power applications operated at a low DC supply voltage.

  • 1.5V動作1W高出力ヘテロ接合FET

    猪砂 佳子, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1995 ( 2 )   93 - 93   1995年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    最近、電源電圧(Vds)2.0Vにおける1Wクラス素子の特性が報告がされている。低電圧動作小型素子の実現には、高ドレイン電流化及び立ち上がり電圧の低減が必要である。今回、高ドレイン電流(600mA/mm)を有するダブルドープ構造ヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、1.5V動作において良好な出力特性を得たので報告する。

  • 低電圧単一電源動作高出力ヘテロ接合FET

    岩田 直高, 猪砂 佳子, 葛原 正明

    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集   1995 ( 2 )   94 - 94   1995年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    携帯電話用高出力素子は、1W以上の出力と低電圧高効率動作が要求されている。それと同時に、周辺回路の簡素化と一層の低コスト化に向け、単一電源動作高出力素子の実現が熱望されている。今回我々は、埋め込みゲート構造ダブルドープHJFETの低電圧単一電源動作において、良好な出力特性を得たので報告する。

  • 2V動作1W小型高出力HJFET

    猪砂 佳子, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1995 ( 2 )   143 - 143   1995年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    近年、携帯電話端末において、電源電圧(Vds)3.0〜3.6Vにおける検討がなされている。我々は、ダブルドープ構造ヘテロ接合FET(HJFET)を用いて、周波数900MHz,3V動作において飽和出力(Psat)1.7W、電力付加効率(PAE)66%を報告した。今後は一層の低電圧動作化と小型軽量化が求められる。今回、より低電源電圧(Vds≦3.0V)での出力特性を評価し、2V動作においても良好な特性を得たので報告する。

  • 低電圧動作PDC用高出力ヘテロ接合FET

    岩田 直高, 猪砂 佳子, 葛原 正明

    電子情報通信学会総合大会講演論文集   1995 ( 2 )   262 - 263   1995年3月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    近年、携帯電話端末において、小型計量化と低電圧化が進み、電源電圧3.0〜3.6Vの検討がなされている。一方変調方式は、π/4シフトOPSK(Ouaternary Phase-Shift Keying)変調波を用いるPDC(Personal Digital Cellular)方式への移行が進んでいる。従って、低電圧動作において高効率と同時に低歪な電力増幅器の実現が急務である。今回、低電圧動作PDC用高出力素子として、ダブルドープ構造HJFETの適用を検討した。その結果、17.5mmという比較的短いゲート幅の素子の電源電圧3V以下の動作において、PDC用高出力素子として有望な低歪及び高効率特性を得たので報告する。

  • デジタル対応3V動作1W高出力ヘテロ接合FET

    猪砂 佳子, 岩田 直高, 葛原 正明

    電子情報通信学会秋季大会講演論文集   1994 ( 2 )   122 - 122   1994年9月

    　詳細

    記述言語：日本語   出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会  

    近年、パーソナル移動体通信システムにおいて端末の小型化、低電圧化が進み,電源電圧はNICd電池3本またはLiイオン電池1本に相当する3.0〜3.6Vにおける検討がなされている。今回我々は、低電圧動作デジタル対応高出力素子の実現をめざし、AlGaAs/InGaAs/AlGaAsへテロ接合FETを試作検討した。その結果、3V動作において優れた特性を得たの報告する。

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講演・口頭発表等

  • Annealing in Oxygen ambient of In-based contact for Mg-doped p-GaN

    Maria Emma Castil Villamin, Naotaka Iwata

    2024年3月 

    　詳細

    開催年月日： 2024年3月

    会議種別：ポスター発表  

  • ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN small area mesa device 国際会議

    Maria Emma Castil Villamin, Naotaka Iwata

    SPIE Photonics West 2024  ( Moscone Center , San Francisco, CA )   2024年1月 

    　詳細

    開催年月日： 2024年1月 - 2024年2月

    会議種別：ポスター発表  

  • エネルギーハーベスティングからワイヤレス電力伝送に適用できるGaNヘテロ構造整流ダイオードの研究開発 招待

    岩田直高

    早稲田大学アンビエントロニクス研究所 × ワイヤレス電力伝送実用化コンソーシアム × エネルギーハーベスティングコンソーシアム ジョイントシンポジウム  ( 早稲田大学 )   2023年12月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年12月

    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Formation of In/Au low-temperature contact for vertical superjunction GaN devices with laser-activated p-GaN region 国際会議

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)  2023年11月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年11月

    会議種別：ポスター発表  

  • Annealing temperature dependence of In/Au electrode performance on p-GaN

    Maria Emma Castil Villamin, Naotaka Iwata

    2023年9月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年9月

    会議種別：ポスター発表  

  • N2/O2雰囲気アニールによるAu/Ni/p-GaNオーム性接触の低抵抗化

    岩田直高,三明純奈,Maria Emma Villamin

    電子情報通信学会ソサイエティ学会  ( 名古屋大学 )   2023年9月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年9月

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • GaN Heterojunction Rectifier Diode with Low Turn-On Voltage and High Breakdown Voltage for Energy Harvesting 国際会議

    Naotaka Iwata, Kouki Hino, Maria Emma Castil Villamin

    2023 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2023)  2023年9月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年9月

    会議種別：ポスター発表  

  • Unveiling the role of trimethylaluminum in passivating InAs surface quantum dots 国際会議

    Hanif Mohammadi, Ronel Christian Roca, Hyunju Lee, Yoshio Ohshita, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya

    55th annual SSDM international conference  ( 55th annual SSDM international conference )   2023年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 低オン電圧高電流特性を示す環境発電用GaNヘテロ接合整流ダイオード

    日野晃貴、マリア　エマ　ヴィリアミン、岩田直高

    第70回応用物理学会春季学術講演会  ( 上智大学 )   2023年3月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年3月

    会議種別：ポスター発表  

  • Comparison of thermal and ArF excimer laser activation of Mg-doped GaN

    Maria Emma Castil Villamin, Naotaka Iwata

    2023年3月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年3月

    会議種別：ポスター発表  

  • Diethylzinc passivation of InAs surface quantum dots 国際会議

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Hyunju Lee*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita, Itaru Kamiya

    2023年春季第70回応用物理学関係連合講演会  ( 上智大学 )   2023年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ALDにおいて、ジエチル亜鉛を用いたInAs量子ドットのパッシベーション効果に関する報告。

  • Drain current lag characterization of Fe- and C-doped GaN buffer HEMTs on GaN substrates 国際会議

    Maria Emma Villamin, Naotaka Iwata

    the 15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2023)  2023年3月 

    　詳細

    開催年月日： 2023年3月

    会議種別：ポスター発表  

  • PL enhancement of InAs surface quantum dots by ex situ DEZ/ZnO passivation capping 国際会議

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Yuwei Zhang*, Hyunju Lee*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita, Itaru Kamiya

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  ( 東北大学川内北キャンパス（オンライン） )   2022年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ALD法によるDEZを用いたInAs量子ドットのパッシベーション被覆によるPL発光強度の増強に関する報告。

  • Photoluminescence enhancement of InAs surface quantum dots by Al2O3 passivation 国際会議

    Hanif Mohammadi*, Ronel Christian Intal ROCA, Yuwei Zhang*, Hyunji Lee*, Yoshio Ohshita, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya

    春季第69回応用物理学関係連合講演会  ( 青山学院大学相模原キャンパス )   2022年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Photoluminescence enhancement of InAs surface quantum dots by Al2O3 passivation using atomic layer deposition was reported.

  • Conduction change of Mg and Si co-doped GaN layer by ArF laser irradiation 国際会議

    Ryuji Kamiya*, Yukari Yonetani*, ジャン　ユーウェイ, Itaru Kamiya*, Noriko Kurose **, Yoshinobu Aoyagi **, Naotaka Iwata

    the 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)  ( Online )   2022年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    08ｐC08O

  • High breakdown voltage of p-GaN/AlGaN/GaN diode with controlled Mg acceptor charges 国際会議

    Soichiro Kawata*, Satoshi Fukutani*, ジャン　ユーウェイ, Naotaka Iwata

    the 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)  ( Online )   2022年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    07pD10O

  • Low turn-on voltage rectifier using p-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor for energy harvesting applications 国際会議

    ジャン　ユーウェイ, Soichiro Kawata*, Naotaka Iwata

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  ( Online )   2021年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　13a-N305-3

  • MgドープGaN層の厚さを変えて電荷濃度を制御したp型GaN/AlGaN/GaNダイオードの耐圧特性 国際会議

    川田 宗一郎*, ジャン　ユーウェイ, 岩田　直高

    第82回応用物理学会秋季学術講演会   ( Online )   2021年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　12p-N305-4

  • Two-step mesa p-GaN gated anode diode for low-power rectification applications 国際会議

    ジャン　ユーウェイ, Naotaka Iwata

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2021)  ( Online )   2021年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　D-7-03

  • High breakdown voltage InGaAs/AlGaAs/InGaAs superjunction devices with modulation-doping for on-resistance reduction 国際会議

    Hiroaki Ogawa*, Naotaka Iwata

    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2021)  ( Online )   2021年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　D-2-06

  • 変調ドープによる電子正孔がGaAsまたはInGaAsチャネルに形成されたヘテロ接合デバイスの特性 国際会議

    尾川弘明*, 豊原真由*, 浅賀圭太*, 岩田　直高

    2021年第68回応用物理学会春季学術講演会  ( Online )   2021年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　19p-Z25-8

  • Comparison of side-gate modulation responses for AlGaN/GaN HEMTs on GaN substrates with and without C-doped GaN buffer layer 国際会議

    VILLAMIN, Maria Emma C., Naotaka Iwata

    2021年第68回応用物理学会春季学術講演会  ( Online )   2021年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　19p-PO6-8

  • P-GaN gated AlGaN/GaN diode for rectification applications 国際会議

    Soichiro Kawata*, Hinano Kondo*, ジャン　ユーウェイ, Naotaka Iwata

    the 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)  ( Online )   2021年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　10P-21

  • P-GaN gate AlGaN/GaN high electron mobility transistor with nearly-zero threshold voltage for power rectification applications 国際会議

    ジャン　ユーウェイ, Naotaka Iwata

    the 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)  ( Online )   2021年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　10aD06O

  • Controlled activation of Mg dopant by laser irradiation for p-GaN formation 国際会議

    Ryuji Kamiya*, Takahito Ichinose*, ジャン　ユーウェイ, Noriko Kurose National Center of Neurology and Psychiatry**, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi Ritsumeikan University**, Naotaka Iwata

    the 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)  ( Online )   2021年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　10P-14

  • Effect of side-gate modulation on AlGaN/GaN HEMTs on GaN substrates with different GaN channel and buffer thicknesses 国際会議

    VILLAMIN, Maria Emma C., Naotaka Iwata

    the 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021)  ( Online )   2021年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　10P-20

  • Effect of C- and Fe-doped GaN Buffer on AlGaN/GaN HEMT Performance on GaN Substrate Using Side-gate Modulation 国際会議

    VILLAMIN, Maria Emma C., Takaaki Kondo*, Naotaka Iwata

    2020年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2020)  ( Online )   2020年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　D-7-06

  • 1.8kV AlGaAs/GaAs/AlGaAs Diode Having Balanced Charges of Donors and Acceptors in Consideration of Residual Carbon Impurities 国際会議

    Hiroaki Ogawa*, Soichiro Kawata*, Naotaka Iwata

    2020年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM2020)  ( Online )   2020年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　D-5-01

  • Side gate modulation of AlGaN/GaN HEMTs on GaN with C and Fe doped buffers 国際会議

    VILLAMIN, Maria Emma C., Takaaki Kondo*, Naotaka Iwata

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  ( Online )   2020年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    オーラル　10p-Z04-6

  • 不純物濃度を揃えて電子正孔チャネルを形成したAlGaAs/GaAs/AlGaAsヘテロ接合ダイオードの高耐圧特性 国際会議

    尾川弘明*, 川田宗一郎*, 櫛田知義 トヨタ自動車株式会社**, 岩田　直高

    第67回応用物理学会春季学術講演会  ( （上智大学　四ツ谷キャンパス） )   2020年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　13p-PA9-22

  • GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの素子特性に バッファ層へのCまたはFeドーピングが及ぼす影響 国際会議

    近藤孝明*, 東中川洋幸*, 岩田　直高

    第67回応用物理学会春季学術講演会  ( （上智大学　四ツ谷キャンパス） )   2020年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　13p-PA9-16

  • High-selectivity dry etching for p-GaN gate formation of normally-off operation high electron mobility transistor 国際会議

    Naotaka Iwata, Takaaki Kondo*

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2020)　  ( （名古屋大学） )   2020年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　11P4-05

  • Formation of ohmic contact to p-type GaN by heat treatment of Au/Ni electrode 国際会議

    So Kuroyanagi*, Satoshi Yasuno **, Takaaki Kondo*, Tomoyuki Koganezawa **, Naotaka Iwata

    12th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma 2020)  ( （名古屋大学） )   2020年3月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　11P4-04

  • Characterization of Au/Ni ohmic contact on p-GaN using hard X-ray photoelectron spectroscopy and 2D-X-ray diffraction 国際会議

    Satoshi Yasuno **, Tomoyuki Koganezawa **, So Kuroyanagi*, Naotaka Iwata

    Materials Research Meeting 2019  ( 横浜シンポジア )   2019年12月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　G5-13-P03

  • Au/Ni/p-GaNオーミックコンタクトの熱処理温度依存性とバンドアライメント評価 国際会議

    安野聡 高輝度光科学研究センター**, 畔柳壮*, 小金澤智之 高輝度光科学研究センター**, 岩田　直高

    先進パワー半導体分科会 第6回講演会  ( 広島国際会議場 )   2019年12月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　ⅡB-20

  • p型GaN上に形成したAu/Ni電極の熱処理による低接触抵抗化 国際会議

    畔柳壮*, 近藤孝明*, 安野聡 高輝度光科学研究センター**, 小金澤智之 高輝度光科学研究センター**, 岩田　直高

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  ( 北海道大学 )   2019年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター　19p-PB3-22

  • Effects of p-GaN gate structures and their fabrication process on performances of normally-off AlGaN/GaN HEMTs 国際会議

    Takaaki Kondou*, Yoshihiko Akazawa*, Naotaka Iwata

    11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2019)  ( Nagoya, Japan )   2019年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Effects of p-GaN gate structures and their fabrication process on performances of normally-off AlGaN/GaN HEMTs

  • 様々なp型GaNゲート構造をドライエッチングで形成したAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性 国際会議

    近藤孝明*, 赤澤良彦*, 岩田　直高

    第66回応用物理学会春季学術講演会  ( 東京工業大学 )   2019年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    様々なp型GaNゲート構造をドライエッチングで形成したAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性

  • 1対の電子チャネルと正孔チャネルを有するAlGaAs/GaAs/AlGaAsヘテロ構造ダイオードの耐圧特性 国際会議

    尾川弘明 電子デバイス*, 大保嵩博 電子デバイス*, 田浦成幸 電子デバイス*, 櫛田知義*, 岩田　直高

    第66回応用物理学会春季学術講演会  ( 東京工業大学 　大岡山キャンパス 2019/3/9-3/12 )   2019年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    ポスター発表　11p-PB3-27

  • Laser-induced local activation of Mg-doped GaN and AlGaN for high power vertical devices 招待 国際会議

    Noriko Kurose Ritsumeikan Univ.*, Naotaka Iwata, Itaru Kamiya

    SPIE Photonics West 2019  ( San Francisco, California, USA )   2019年2月  SPIE

    　詳細

    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Effect of inductively coupled plasma reactive ion etching on performances of p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs 国際会議

    Yoshihiko Akazawa*, Takaaki Kondo*, Naotaka Iwata

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018  ( Kanazawa, Japan )   2018年11月  "Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity", MEXT-KAKENHI on Innovative Areas, FY2016-2020 and The Japanese Association for Crystal Growth

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Effect of inductively coupled plasma reactive ion etching on performances of p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs

  • レーザを用いた局所p-GaN オーミック電極形成法の開発 国際会議

    川﨑輝尚 住友重機械*, 黒瀬範子 立命館大学*, 松本晃太*, 岩田　直高, 青柳克信 立命館大学*

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  ( 名古屋国際会議場 )   2018年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    レーザを用いた局所p-GaN オーミック電極形成法の開発

  • A new laser induced local material engineering to convert from n-type to p-type nitride semiconductor to fabricate high power vertical AlGaN/GaN devices on Si substrate 国際会議

    Yoshinobu Aoyagi 立命館大学*, Noriko Kurose 立命館大学*, 松本滉太 電子デバイス*, 岩田　直高, 神谷　格

    22nd Advanced Materials 2018  ( 東京 )   2018年9月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    レーザーを用いた GaN のドーピング活性化法を用いた縦型素子作製について

  • 選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響 国際会議

    近藤孝明*, 赤澤良彦*, 岩田　直高

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  ( 名古屋国際会議場 )   2018年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響

  • Mgイオン注入GaNのフラッシュランプアニールによる活性化 国際会議

    大森雅登 名大未来研*, 山田隆泰 SCREENセミコンダクターソリューションズ*, 谷村英昭 SCREENセミコンダクターソリューションズ*, 加藤慎一 SCREENセミコンダクターソリューションズ*, 岩田　直高, 塩崎宏司 名大未来研*

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  ( 名古屋国際会議場 )   2018年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Mgイオン注入GaNのフラッシュランプアニールによる活性化

  • p型GaNゲートを用いたノーマリオフ動作AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ 国際会議

    赤澤良彦*, 近藤孝明*, 吉川慎也*, 岩田　直高, 榊裕之*

    第65回春季応用物理学会学術講演会  ( 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場 )   2018年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 1対の電子チャネルと正孔チャネルを内蔵したAlGaAs/GaAs/AlGaAsダブルヘテロ構造における特性評価 国際会議

    大保嵩博*, 櫛田知義 ＊*, テウク モハマド ロフィ, 岩田　直高

    第65回春季応用物理学会学術講演会  ( 早稲田大学西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場 )   2018年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • （招待）Suppress surface recombination by introducing metal cations into AlOx 招待 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Fumiya Nishimura*, Takefumi Kamioka, Haruhiko Yoshida*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    次世代シリコン太陽電池分科会第7回研究会  ( 東京工業大学　大岡山キャンパス　蔵前会館 )   2017年10月  学振175委員会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • MgドープGaNへのレーザー照射による局所活性化と結晶性のその場観測 国際会議

    松本滉太*, 黒瀬範子 ＊*, 山田　郁彦, 神谷　格, 青柳克信 ＊*, 岩田　直高

    IEEE Metro Area Workshop in Nagoya  ( 中京大学 / Chukyo University )   2017年10月  IEEE 名古屋支部 / IEEE Nagoya Section

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Charge-Controllable Mg-Doped AlOx Passivation Layers for p- and n-Type Silicon 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Takefumi Kamioka, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita, F. Nishimura, H. Yoshida*

    33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2017)  ( RAI Convention & Exhibition Centre, Amsterdam, The Netherlands )   2017年9月  WIP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 放射光XRD・HAXPESによるAl/Ti/AlGaNの界面反応層の結晶構造及び化学結合状態評価 国際会議

    安野聡 **, 小金澤智之 **, 鈴木貴之*, 岩田　直高

    第78回秋季応用物理学会学術講演会  ( 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス )   2017年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御 国際会議

    松本滉大*, 黒瀬範子 **, 下野貴史*, 岩田　直高, 山田　郁彦, 神谷　格, 青柳克信 **

    第78回秋季応用物理学会学術講演会  ( 福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス )   2017年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Carrier Transportation at Novel Silver Paste Contact 国際会議

    Yoshio Ohshita, Takefumi Kamioka, Satoshi Kameyama*, Kazuo Muramatsu, Aki Tanaka*, Naotaka Iwata, Kyotaro Nakamura, Atsushi Ogura*

    44th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (44th IEEE PVSC)  ( Washington Marriott Wardman Park, Washington DC, USA )   2017年6月  44th IEEE PVSC

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • HCl表面処理とプラズマ励起原子層堆積 SiNx膜による AlGaN/GaN HEMTの表面安定化 国際会議

    鈴木貴之*, 土屋晃祐*, 大保崇博*, 赤澤良彦*, 下野貴史*, 松本滉太*, 江口卓也*, 岩田　直高

    第64回応用物理学会春季学術講演会  ( パシフィコ横浜 )   2017年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Charge-Controllable Mg-Doped AlOx for the Passivation of High Efficiency Silicon Solar Cells 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Fumiya Nishimura, Haruhiko Yoshida*, Takefumi Kamioka, Naotaka Iwata, Kyotaro Nakamura*, Yoshio Ohshita

    Global Photovoltaic Conference 2017 (GPVC2017)  ( Kimdaejung Convention Center, Gwangju, Korea )   2017年3月  Korea Photovoltaic Society

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Nano-Engineered Surface Passivation for Advanced Silicon Solar Cells 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Fumiya Nishimura*, Takefumi Kamioka, Dongyan Zhang, Haruhiko Yoshida*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    豊田工業大学スマートエネルギー技術研究センター第8回／グリーン電子素子・材料研究センター第2回合同シンポジウム  ( 豊田工業大学　愛知県名古屋市 )   2016年11月  豊田工業大学

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Novel silver paste to n- and p-layers for fabricating high efficiency crystalline Si solar cells 国際会議

    Takefumi Kamioka, Tetsu Takahashi, Kazuo Muramatsu, Aki Tanaka*, Naotaka Iwata, Kyotaro Nakamura, Atsushi Ogura*, Yoshio Ohshita

    The 26th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26)   ( Marina Bay Sands, Sands Expo and Convention Centre, Singapore )   2016年10月  Solar Energy Research Institute of Singapore (SERIS)

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Excellent Surface Passivation of Crystalline Silicon by AlxMg1-xOy and Its Tunable Interface Properties 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Fumiya Nishimura*, Takefumi Kamioka, Dongyan Zhang, Haruhiko Yoshida*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    The 26th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26)   ( Marina Bay Sands, Sands Expo and Convention Centre, Singapore )   2016年10月  Solar Energy Research Institute of Singapore (SERIS)

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • プラズマ励起原子層堆積プラズマ励起原子層堆積保護膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化 国際会議

    鈴木貴之*, 山田富明*, 河合亮輔*, 川口翔平*, 張東岩*, 岩田　直高

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  ( 朱鷺メッセ (新潟県新潟市) )   2016年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • (Invited) Dielectric Oxide Nanoengineering and Its Impact on the Surface Passivation and Interface Properties of Crystalline Silicon 招待 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Naotaka Iwata, Atsushi Ogura, Haruhiko Yoshida, Toyohiro Chikyow*, Yoshio Ohshita

    The Energy Materials and Nanotechnology (EMN) Meeting on Surface and Interface 2016  ( The Royale Chulan Hotel Kuala Lumpur, Kuala Lumpur, Malaysia )   2016年9月  EMN Meeting Organizing Committee

    　詳細

    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Doped Dielectric Nanolayers for Advanced Surface Passivation of Silicon Solar Cells 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Fumiya Nishimura*, Takefumi Kamioka, Dongyan Zhang, Haruhiko Yoshida*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    The 26th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells and Modules: Materials and Processes  ( The Lodge at Vail, Colorado, USA )   2016年8月  NREL

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Atomic Layer Deposition of AlxMg1-xOy Nanolayers and Their Excellent Surface Passivation for Crystalline Silicon Solar Cells 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Takefumi Kamioka, Dongyan Zhang*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   ( Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan )   2016年8月  Science Council of Japan (SCJ),JACG(the Japanese Association for Crystal Growth) ,The Japan Society of Applied Physics (JSAP)

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Realization of Conductive AlN Epitaxial Layer on Si Substrate using Spontaneously Formed Nano-Size Via-Holes for Vertical AlGaN High Power FET 国際会議

    Noriko Kurose 立命館大学*, Kota Ozeki 立命館大学*, Tsutomu Araki 立命館大学*, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, Yoshinobu Aoyagi 立命館大学*

    The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)  ( Toyama Japan )   2016年6月 

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Conductive AlN layer grown on a Si substrate using MOCVD has been realized by the spontaneously formed nano-size via-holes. The layer has been applied for the preparation of vertical AlGaN FETs.

  • Excellent Surface Passivation of Crystalline Silicon by Ternary AlxMg1-xOy Thin Films 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Takefumi Kamioka, Dongyan Zhang*, Naotaka Iwata, Yoshio Ohshita

    43th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (43rd IEEE PVSC)  ( Oregon Convention Center , Portland, OR, USA )   2016年6月  43rd IEEE PVSC

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ALD AlxMg1-xOy Surface Passivation for Next Generation Silicon Solar Cells 国際会議

    リ　ヒュンジュ, Takefumi Kamioka, Dongyan Zhang*, 岩Yoshio Ohshita

    第13回次世代の太陽光発電システムシンポジウム  ( アオーレ長岡　新潟県長岡市 )   2016年5月  日本学術振興会産学協力研究委員会第１７５委員会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Excellent Surface Passivation of Crystalline Silicon by Atomic Layer Deposition AlxMg1-xOy Thin Films 国際会議

    リ　ヒュンジュ, 神岡　武文, チョウ　トウエン, 岩田　直高, 大下　祥雄

    第63回応用物理学会春季学術講演会  ( 東京工業大学　大岡山キャンパス )   2016年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Excellent Surface Passivation of Crystalline Silicon by Atomic Layer Deposition AlxMg1-xOy Thin Films

  • 赤外用三角障壁フォトトランジスタの暗電流低減と室温動作 国際会議

    杉村和哉 電子デバイス*, 大森　雅登, 野田武司 物材研*, Vitushinskiy Pavel 電子デバイス*, 岩田　直高, 榊裕之 学長*

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  ( 名古屋国際会議場 )   2015年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    赤外用三角障壁フォトトランジスタの暗電流低減と室温動作

  • The Current Conduction Mechanism of Novel Silver Thick Film Electrode 国際会議

    高橋哲 ナミックス(株)*, 立花福久 産総研福島*, 神岡　武文, 岩田　直高, 大下　祥雄

    31st European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition  ( Hamburg, Germany )   2015年9月  WIP GmbH & Co-KG

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    The Current Conduction Mechanism of Novel Silver Thick Film Electrode

  • InP(100)基板上におけるInAs/InAlGaAs量子ロッド構造の形成 国際会議

    大森　雅登, 野田武司 物材研*, 小嶋友也 ナノ電子*, 杉村和哉 電子デバイス*, Vitushinskiy Pavel 電子デバイス*, 岩田　直高, 榊裕之 学長*

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  ( 名古屋国際会議場 )   2015年9月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    InP(100)基板上におけるInAs/InAlGaAs量子ロッド構造の形成

  • AlGaAs/InGaAs HEMTs Passivated with Atomic Layer Deposited SiO2 using Aminosilane Precursors 国際会議

    鈴木貴之 電子デバイス*, 滝川陽介 電子デバイス*, 岩田　直高, チョウ　トウエン, 大下　祥雄

    The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2015)  ( Kyoto, Japan )   2015年6月  IEEE

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    AlGaAs/InGaAs HEMTs Passivated with Atomic Layer Deposited SiO2 using Aminosilane Precursors

  • 三角障壁フォトトランジスタによる高感度赤外光検出 国際会議

    大森　雅登, 杉村和哉*, 小嶋友也*, 加戸作成*, 野田武司*, パベル　ヴィトゥシンスキー, 岩田　直高, 榊　裕之

    第62回応用物理学会春季学術講演会  ( 東海大学　湘南キャンパス )   2015年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ビスエチルメチルアミノシランを用いた原子層堆積SiO2保護膜を有するAlGaAs/InGaAs HEMTの特性 国際会議

    鈴木貴之*, 滝川陽介*, 張東岩*, 内藤志麻子*, 岩田　直高

    第62回応用物理学会春季学術講演会  ( 東海大学　湘南キャンパス )   2015年3月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    未結合手の終端に優れたプラズマ励起原子層堆積(PEALD)法によってHEMT表面に2種類の有機原料を用いてSiO2を堆積した．それらがトランジスタ特性に与える影響を評価した。

  • 原料断続供給法を用いたSiO2薄膜マスク付Si 基板上へのGaAs 成長における初期結晶形状の評価 国際会議

    邢 林 宮崎大学*, 横山 祐貴 宮崎大学*, 杉村 和哉*, 滝川 陽介*, 鈴木 秀俊 宮崎大学*, 岩田　直高, 前田 幸治 宮崎大学*

    2014年(平成26年度)応用物理学会九州支部学術講演会  ( 大分大学工学部（大分市旦野原７００） )   2014年12月  応用物理学会

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    開口部に均一な結晶を得るには、SiO2及びSi上での原料の拡散の制御が必要である。我々は、表面拡散の制御手法として原料断続供給法に注目し、高品質なGaAsの成長に取り込んでいる。本研究では、原料断続供給法を用いて様々な形状に開口したSiO2薄膜上にGaAsの結晶成長を行い、マスク部及びその開口部近傍でのGaAs結晶の成長初期の形状観察を行うことによって、SiO2 及びSi 上での原料拡散のメカニズムを理解することを目的とした。

  • EVALUATION OF INTERFACE RECOMBINATION INDUCED BY FIRE-THROUGH AG PAST FOR HIGH OPEN CIRCUIT VOLTAGE 国際会議

    青木真理 半導体*, 大下　祥雄, 高橋哲 ナミックス(株)*, 立花福久 半導体*, I. Suminta 半導体*, 滝川陽介 電子デバイス*, 岩田　直高

    29th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition  ( Amsterdam, The Netherlands )   2014年9月  WIP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    EVALUATION OF INTERFACE RECOMBINATION INDUCED BY FIRE-THROUGH AG PAST FOR HIGH OPEN CIRCUIT VOLTAGE

  • EVALUATION OF INTERFACE RECOMBINATION INDUCED BY FIRE-THROUGH AG PAST FOR HIGH OPEN CIRCUIT VOLTAGE 国際会議

    青木真理 半導体*, 大下　祥雄, 高橋哲 ナミックス(株)*, 立花福久 半導体*, I. Suminta 半導体*, 滝川陽介 電子デバイス*, 岩田　直高

    29th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition  ( Amsterdam, The Netherlands )   2014年9月  WIP

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    EVALUATION OF INTERFACE RECOMBINATION INDUCED BY FIRE-THROUGH AG PAST FOR HIGH OPEN CIRCUIT VOLTAGE

  • Novel vertical AlGaN deep ultra violet photo-detector on n+Si substrate using spontaneous via holes growth technique 国際会議

    Kota Ozeki Ritsumeikan University*, Noriko Kurose Ritsumeikan University*, Naotaka Iwata, Kentaro Shibano Ritsumeikan University*, Tsutomu Araki Ritsumeikan University*, Itaru Kamiya, Yoshinobu Aoyagi Ritsumeikan University*

    The 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials  ( Tsukuba International Congress Center )   2014年9月  THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS

    　詳細

    会議種別：口頭発表（一般）  

    Vertical AlGaN deep ultra violet (DUV) photo-detector has been successfully fabricated on n+Si substrate using spontaneous via holes growth technique. The spontaneous via holes make the insulating AlN buffer layer to be conductive, which is indispensable to grow AlGaN epitaxial layer, and makes possible the direct current flow from p electrode to n+Si substrate without any trench etching to form n-contact. This vertical device is easily enlarged to realize large area solar-blind photo-detector which is necessary for many applications for sensing contamination of water, biological material and so on under the sunshine.

  • 化合物半導体ヘテロ接合デバイスの研究開発　　－移動体通信端末と基地局への適用－ 招待 国際会議

    岩田　直高

    宮崎大学平成25年度ＩＲ推進機構講演会  ( 宮崎大学　木花キャンパス　総合研究棟　プレゼンテーションルーム )   2013年9月  宮崎大学　ＩＲ推進機構

    　詳細

    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

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受賞

  • 平成16年度　電気通信大学 同窓会賞

    2004年4月   電気通信大学同窓会社団法人目黒会   移動体端末用高出力ヘテロ接合FETの開発

    岩田　直高

  • 文部科学大臣賞 第29回研究功績者表彰

    2003年4月   文部科学省   携帯電話端末用ヘテロ接合FETの研究

    岩田　直高

  • 第34回市村産業賞 功績賞

    2002年4月   財団法人新技術開発財団   携帯電話端末用ヘテロ接合FETの開発と実用化

    岩田　直高

科学研究費補助金

奨学寄付金・研究助成金 ※本学入職以降の業績のみ

  • 様々なエネルギーハーべスティング電力を高効率で整流するGaNヘテロ構造ダイオードの創製

    公益財団法人岩谷直治記念財団 2023年4月 - 2024年3月

    岩田　直高

担当科目（学内） ※授業フィードバックは学内ネットワークからのみ閲覧可能です。

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教育内容・方法の工夫

  • 個人で行う工学実験（電子情報コース）「トランジスタと電子回路」

    　詳細

    工学実験（電子情報コース）の「トランジスタと電子回路」は、市販のトランジスタとブレッドボードを用いて、トランジスタ特性の測定、次に回路を組立てて測定解析までを学生ひとり一人が個別に行う。これにより、素子と回路の動作原理や測定の実際などの理解がより深まると考える。達成できるレベルに個人差があることは想像できたので、様々な説明書の整備や2名のTAの配置など、支援を厚くした。なお2020年度は、同等な実験内容をwebで行うため実験項目を動画で理解できる内容に絞るとともに、学生ひとり一人が個別に行ったように感じ取れるように２名のTAにそれぞれ個別の実験してもらった。すなわち、３台のカメラを用いて、回路を組みたてている手元を肩越しに、ブレッドボード上の組みあがっていく回路を正面から、そしてデジタルマルチメーターは常時撮影した。これを各実験課題で２回行った。学生はどちらかの動画を選んで、自分でデジタルマルチメーターを読み取って測定解析した。動画は、FHDで撮影後、編集・圧縮して掲載した。これらに膨大な労力と時間を費やしたが、学生アンケートからはこの取組みを評価しているようにみられた。なお2021年度は、2020年度に作成した動画を含めた資料での予習を課し、説明時間を短くした対面での実験に戻した。

  • 教養基礎セミナー3での全員参加と実践的な教育

    　詳細

    「教養基礎セミナー3」（4年次前期、0.5単位）では、課題に対して哲学カフェの手法を用いて、学生たちの積極的な議論参加と成果報告を課した。加えて、報告書の作成や発表のスキルアップにつながる実践的な教育を行い、卒論テーマを各自がプレゼン紹介することにより、サイエンスコミュニケーション能力の習得を図った。なお2020年度は、同等な内容をweb授業で行った。

  • 学生の授業一部受け持ちによる意欲と理解の向上

    　詳細

    「化合物半導体デバイス工学」（修士後期、2単位）では、学生が授業の一部を受け持つことにより、学生を授業に積極的に参加させた。すなわち、2週間以上前に個々の学生に対して英語の教科書や論文を割り当て、学生に20分程度の課題としてのプレゼンを課して、私が残りの時間で補完的に授業を行った。プレゼン1週間前の授業で受講者全員に資料を配布して、予習を促した。少人数授業のメリットを生かして学生の意欲を引き出せたと考える。例えば2019年度の受講者は15名であり、1回の講義で2名の課題プレゼンとなった時間もあったが、この授業のスタイルの特徴が活かせた。

  • 試験問題解答例のWeb公開

    　詳細

    「電子回路工学」（2年次後期、2単位）、「電気回路工学２」（3年次後期、2単位）、および「化合物半導体デバイス工学」（修士後期、2単位）の期末試験解答例を、試験終了後は速やかにweb掲載した。その後、成績確定までに時間の猶予を持ち、質問や採点への問合せを受け付けた。これらを案内するメールも履修者全員に発信した。なお、2020年度は期末試験を行わず、予習課題と理解度確認課題への対応で評価した。

  • 電子プレゼンと板書を組み合わせた授業進行

    　詳細

    「電子回路工学」（2年次後期、2単位）、「電気回路工学２」（3年次後期、2単位）、「化合物半導体デバイス工学」（修士後期、2単位）、および「工学実験（トランジスタと電子回路）」（3年次前期、1単位）では、パソコンとプロジェクターによる電子プレゼンと板書を組み合わせて授業を進めた。具体的には、電子プレゼンでは図表、写真や参考の例題など、板書では骨子となる原理や基本的な図や式を常に表記し、それぞれの特徴を生かした。概念の把握や詳細な理解に役立ったと考える。なお、2020年度はweb授業となり、webに授業で使用する資料を掲載して利用する形式に変更した。

  • 予習テストと宿題に対応しない学生のフォロー

    　詳細

    「電子回路工学」（2年次後期、2単位）および「電気回路工学２」（3年次前期、2単位）では、単位取得の点数に加算される予習テストと宿題を課した(合計20点)が、学生の中には対応しない(授業を休み予習テストを受けていない、宿題を提出しない)者もおり、多数回に及ぶ者はメールで呼び出して演習(予習テストと同じもので半分の点数で加点)をさせたり、宿題の遅れ提出を促し、半分の点数を加点した。なお、2020年度はweb授業となり、対応しない学生のフォローはメールとweb上で対応する形式に変更した。

  • 宿題による復習

    　詳細

    「電子回路工学」（2年次後期、2単位）および「電気回路工学２」（3年次前期、2単位）では、3回の宿題(A4で3ページ以内の分量)を課した。宿題は2点/回の配点があり、これを行うことによって復習が自動的にできるように、課題には重要な式の導出や授業で採り上げた類似の例題を選んだ。理解が深まったと考える。なお、2020年度はweb授業となり、宿題は理解度確認課題としてwebに掲載して対応する形式に変更した。

  • 予習テストの活用

    　詳細

    「電子回路工学」（2年次後期、2単位）および「電気回路工学２」（3年次前期、2単位）では、毎回の授業時間の最初に10分間程度の予習テストを行った(第1回目を除く計14回)。予習テストの範囲は、授業の最後に例題の形で毎回示した。この予習テストは1点/回の配点があり、これを受けるためには、授業に遅刻することなく出席する必要があるとともに、毎回の予習も必須となる。予習テストは、TAが授業時間内に添削し、返却した。回答は、授業の中で示しており、授業時間内にテストが返却されて添削内容を確認することから、重要なポイントを複数回確認することになるので、理解が深まったと考える。なお、2020年度はweb授業となり、予習テストは予習課題としてwebに掲載して対応する形式に変更した。

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作成した教材

  • 工学実験（電子情報コース）「トランジスタと電子回路」用に作成した教材（2019年度～2021年度）

    　詳細

    市販のトランジスタとブレッドボードを用いて、トランジスタ特性の測定、次に回路を組立てて測定解析までを学生ひとり一人が個別に行う実験であるので、様々な説明書(ブレッドボード、配線材、各素子(抵抗、LED、バイポーラトランジスタ、MOSFET)、電源、テスター)の整備や素子と回路の動作原理を説明するプレゼン資料を作成した。なお2020年度は、実験科目をwebで行うために、２名のTAにそれぞれ個別の実験してもらった。すなわち、３台のカメラを用いて、回路を組みたてている手元を肩越しに、ブレッドボード上の組みあがっていく回路を正面から、そしてデジタルマルチメーターは常時撮影した動画を各実験課題で２回分作成した。合計30本以上の動画は、FHDで撮影後、編集・圧縮して掲載した。

  • 「教養基礎セミナー3」（4年次前期、0.5単位）用に作成した教材（2019年度～2021年度）

    　詳細

    「教養基礎セミナー3」の8コマのうち、1コマを報告書や発表のスキルアップにつながる実践的な教育に割いた。その資料として、「人に情報を伝える　-報告書とプレゼン-」と題する資料の作成や口頭発表のスキルアップにつながる実践的な資料を作成した。学生アンケートからは好評であり、2020年1月28日の卒論説明会では、卒論発表を控えた学生に対して、この資料のプレゼンスキル部分を再度説明した。なお2020年度は、同等な内容をweb授業で行った。

  • 「化合物半導体デバイス工学」（修士後期、2単位） 用に作成した教材（2019年度～2021年度）

    　詳細

    授業は輪講の要素を取り入れたものであり、半導体が専門の学生に限らず機械や物質の学生も積極的に参加することができる。すなわち授業は、英語の教科書や論文を参照資料として、個々の学生が20分程度の課題プレゼンを行い、私が残りの時間で補完的に授業を行った。そのため、2週間以上前に発表する課題を決定、準備を開始させ、1週間前の授業で受講者全員に資料を配布し、予習を促した。直前の1週間では発表する学生に対して数回の指導を行い、プレゼン資料を完成させるとともに、補間的に私が受け持つ授業の資料を作成した。授業当日は、学生と私のプレゼン資料を束ねて配布し、授業では質問を促した。この授業は、少人数授業のメリットを生かして学生の意欲を引き出せたと感じている。例えば2019年度の受講者は15名であり、1回の講義で2名の課題プレゼンとなった時間もあったが、十分な時間をこの課題プレゼンへの指導と私の資料の作成に充てた。

  • 「電気回路工学２」（3年次前期、2単位）用に作成した教材（2019年度～2021年度）

    　詳細

    電子プレゼン用に15回分のパワーポイント用資料を作成した。資料は、最初に当日の学習範囲、予習テスト、授業内容（予習テストの回答含む）、追加の演習問題、次回の予習範囲と例題、および先端技術の紹介（試験の範囲には含めない）を含む。学生には予習テストの終了後に配布した。授業の進行は教科書と連携しており、シラバスの確認や授業の最後に示す予習例題の提示で予習が可能である。資料は、学生のフィードバックを基に、より分かり易くなるように毎年改版している。なお、2020年度はweb授業で行うため、板書の部分も含めて資料を作成し、web上に掲載した。

  • 「電子回路工学」（2年次後期、2単位）用に作成した教材（2019年度～2021年度）

    　詳細

    電子プレゼン用に15回分のパワーポイント用資料を作成した。資料は、最初に当日の学習範囲、予習テスト、授業内容（予習テストの回答含む）、次回の予習範囲と例題、および学習する回路の応用例などを含む。学生には予習テストの終了後に配布した。なお、授業の進行は教科書と連携しており、シラバスの確認や授業の最後に示す予習例題の提示で予習が可能である。2019年度の配布資料は、自身の反省や学生のフィードバックを基に、内容を厳選した。なお、2020年度はweb授業で行うため、板書の部分も含めて資料を作成し、web上に掲載した。

その他教育活動及び特記事項

  • 　電子デバイスセミナー１および２（修士1年　前期・後期）では、学部4年生と修士2年生も参加させて、研究に必要な基礎的な事項から最新の研究成果までをセミナー形式で運営し、学生の理解を促した。
    　また学内では、スマートエネルギー技術研究センター運営協議会委員、学外実習委員会拡大委員、ナノテクプラットフォーム運営部会委員、ナノテクノロジーセンター協議会議長、ナノテクノロジーセンター副センター長、共同利用クリーンルーム運営部会議長、共同利用クリーンルーム施設長、電子情報分野授業改善WGグループチーフ、総合安全委員会委員、新型コロナウイルス対策会議委員として、教育と研究に関連する活動を行った。特に、2021年度ではコロナ禍で開催を延期してきた半導体プロセス講習会をオンラインで本学の「オープンラボ」と共催で開催し、学内外含めて110名の参加を得た。アンケートでは好評であった。
    　その他の研究活動では、International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma) 2019, 2020および2021のプログラム委員を務め、学内外や企業からの投稿を勧め、チュートリアル、招待講演、プログラムの構成と運営や投稿論文の査読、セッションチェアマンなどの活動を行った。GaNコンソーシアムでは、運営幹事会委員、知的財産委員会委員、電子デバイスWGおよびロードマップTFのメンバーとして、学内外や企業の研究者や技術者の教育と研究に関連する活動を行った。

社会貢献活動

  • 一般社団法人GaNコンソーシアム　委員

    役割：運営参加・支援

    東海国立大学機構、トヨタ学園、名古屋工業大学、名城大学、産業技術総合研究所、物質・材料研究機、住友電気工業株式会社、大陽日酸株式会社、トヨタ自動車株式会社、三菱電機株式会社  2019年10月 - 現在

    　詳細

    種別：テレビ・ラジオ番組

    (1) GaNの実用化に関わる研究開発における産学官の情報共有、相互連携の強化
    (2) 研究会、セミナー及びシンポジウムの開催
    (3) GaN半導体分野の特別（専門）講義による専門人材の育成事業
    (4) 研究開発プロジェクト（国家プロジェクトも含む）の提案
    (5) 知的財産の管理及び活用事業
    (6) 他団体から委託された事業一般
    (7) その他目的を達成するために必要な事業