本研究では,「究極の嵩高さ」である三級炭素型保護基に着目し，「四級炭素に対する置換反応(保護)」と「除去困難なt-Bu基の脱保護反応」を融合させ，三級炭素型保護基の選択的保護と脱保護手法の確立や多官能性対称分子に対する非対称化手法を確立することで，より実践的な物質合成プロセスに応用展開することが目的である．

Outcome：

2024
アルコールおよびフェノール誘導体を基質とした立体的に嵩高い第三級α－ハロアミドに対するハロゲン部位での置換反応が，既に報告されている手法と比べてより効率的に進行することが明らかとなり，この結果はα－ハロアミドが水酸基のよい三級炭素型保護基として利用できることを示す結果である．また，三級炭素であるtert-ブチル基で保護されたエステルおよびエーテル化合物の脱保護反応についても金属触媒とヒドロシランを組合わせた反応により，良好な結果が得られている．これらの結果を基に，現在論文執筆中である．